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我想是因為它要確定有大 Rsub,方便這個MOS snap back 從而discharge ESD....
1 w1 j5 t, E$ {: b( U9 x0 B0 \如果Rsub太少,這個MOS 便需要 ...
3 J C. B" L6 n. T/ ], y! M4 zritafung 發表於 2009-9-21 03:37 PM
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比较赞同该说法,右边的Rsub会很小,雪崩击穿后需要很大的电流才能让npn的base级开启,如果Rsub大的话很小的电流即可开启npn,右边匹配没有左边的好,同样多的finger右边会比左边长很多," U8 L' _9 R/ \3 k+ Y
有可能由于匹配不好,有的finger已经进去snapback了,有的finger还没有开启,导致局部电流过大将IC烧毁,不过如果用左边的方式,最好还是要有ESD implant,这样才能更好的保证finger同时导通,
8 U' G9 g/ i( Y3 ?- ?! Z/ [要不然也是有局部导通烧毁IC的可能性. |
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