deep n-well

familys123

我是剛設計rf電路新手，在設計好電路後layout時

8 f0 i1 L+ ?7 V! {2 M: G發覺rf的mos最外圈有兩層，最內圈是body而最外圈是deep n-well

我那時不知道那是deep n-well，而在layout時nmos那圈我都接地

而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了，所以我不需要動它

在我最近下線完後發覺好像不太對，我把nmos flatten掉才知道
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它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我還把deep n-well接地

那不是有可能順偏，我電路中body都跟source接在一起，而我的電
( N' o5 R4 k  I# D
6 B4 J! d9 C) T! w$ J: l" l路中source又不一定接地，那這樣子我的電路很有可能不work嗎？

, {. @4 {+ g) U! ?  ~deep n-well是一個電晶體配一個，還是整個wafer配一個，若是整個wafer

, T# }) `' x' q一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接？

& U, Z+ R/ d# o, d, q那deep n-well我該怎樣接才對？1.與body接在一起2.不要接(浮接)
+ w1 a# L# ]2 z. F4 h8 V
5 ~8 L$ m1 t/ ?. t3.接到最高電位。那種方式會比較好，而一般會用那種方法？
% @( h: M/ `- q
而我所使用的是.18製程。

areutheregod

我把這一篇推上來，因為我也有疑問，
2 J: B& I  Z6 J0 a0 U: l, H過去其它製程剛好沒有deep n-well ，現在用TSMC.18的model發現有deep n-well ，
3 |+ u) F+ j' F" c上課的時候說過這樣把所有的body都分開，所以可以單獨mos的s和b端接在一起，
可有違過去的經驗，雖為了怕bodyeffect而把sb端相接，
可怕latch-up，所以把b端都接最負電源，
9 C$ l0 Q1 \" w5 ?& b+ Z: a如今.18有這樣的製程設計，是否表示可以把sb端相接 ? 只要外圍有deep n-well ?
  l7 M& g9 R8 P  T, V有先進可以回答嗎?

semico_ljj

Deep Nwell就是为了实现sub隔离用的