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我是剛設計rf電路新手,在設計好電路後layout時
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發覺rf的mos最外圈有兩層,最內圈是body而最外圈是deep n-well% x; p* e' `3 w. O
; X7 i) E! i5 Y5 [9 L) Y我那時不知道那是deep n-well,而在layout時nmos那圈我都接地/ c. l; B6 _" G! t/ w
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而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了,所以我不需要動它0 b: C' P2 x( v& _
. ~9 |' I1 ^ h* j& c8 m8 o6 C在我最近下線完後發覺好像不太對,我把nmos flatten掉才知道
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它叫deep n-well,nmos的body是p型,那我還把deep n-well接地5 G& s2 r% F+ B0 Q) ]8 T
& q. e$ Y3 q B/ u那不是有可能順偏,我電路中body都跟source接在一起,而我的電
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路中source又不一定接地,那這樣子我的電路很有可能不work嗎?
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deep n-well是一個電晶體配一個,還是整個wafer配一個,若是整個wafer
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) b+ L. ]5 m5 l% I& M6 J一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接?2 m/ Q Z+ d' y# T
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那deep n-well我該怎樣接才對?1.與body接在一起2.不要接(浮接)% {9 c" {: E4 I% _
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3.接到最高電位。那種方式會比較好,而一般會用那種方法?
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而我所使用的是.18製程。 |
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