中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

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深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性
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一、前言
! {& g( M& v; j, ~) w1 o  B二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理
; X9 W5 ]9 I6 d0 X4 ?四、實驗結果與分析推論
/ T; {% {# G7 ?' B* g五、結論
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alienwarejian

為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限

sbm81tw

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k200630901

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balam2018

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