中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

semico_ljj

深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
$ W4 N* E5 A$ F+ w* H9 Y---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性
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一、前言
( h' V! Y: C# B+ j9 {二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理
4 v/ j  a( E9 H1 O0 r四、實驗結果與分析推論
" R( G- W. I. w; J5 X五、結論
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alienwarejian

為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限

sbm81tw

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k200630901

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balam2018

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sslin

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myokd

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