中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

semico_ljj

深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性
) L" j- A. R. C) c1 y* J' H
一、前言
二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
" ~* l$ o' q! ^1 Y6 w$ c三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理
7 e. u& ]3 h, g: x4 \4 v. ~( ^0 d四、實驗結果與分析推論
五、結論

遊客，如果您要查看本帖隱藏內容請回復

myokd

謝謝大大分享，最近正好需要相關資料

sslin

* ^% P  |) ?7 R, V謝謝大大分享，

4 ~4 e9 q" X7 _8 i! A# q2 ~深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
! V. r0 ^( E; Q, F7 z/ V! C
先下載 看看

balam2018

感謝樓主用心的分享，您使我們得以成長！~

k200630901

謝謝大大分享，最近正好需要相關資料
" x+ ^( K- l7 Z/ W$ T% W/ n

sbm81tw

感謝樓主用心的分享使我們得以成長！

alienwarejian

為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限