中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

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深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性

$ x8 f9 U0 F+ n, Q! y: C" L# S* V一、前言
$ i9 Z4 N6 T- K& b二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
* e9 ]/ R7 u" M% U三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理
( T2 H7 k4 X' V4 D四、實驗結果與分析推論
- Y% C5 ?  a8 t4 [" y五、結論

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alienwarejian

為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限

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