BJT 架構的 Bandgap，最低電流消耗可壓到多少？

shaq

Dear all,

* g# _# Y+ A; _7 j  ]0 Z我想作一個 BJT 架構的 Bandgap，不知道哪種架構可將電流消耗壓到 1uA @ VDD=3.0V 以下？

Vref 不一定要小於 1.25.  VDD最低工作電壓在 2V

3 g: D8 r& k# `+ _6 K# U8 \7 VPSRR 暫不要求。

有人可指點一二嗎？
3 H* K0 _1 z) X0 W$ U, c
$ {$ t. Y' a2 g1 I6 B[ 本帖最後由 shaq 於 2009-4-9 05:38 PM 編輯 ]

donlion

subthreshold还行，bjt够戗。。。。。。。。。。。。。。。。

yalon

用一般的架構都可以ㄚ....
op type or current-mirro type. 1u ok ㄚ~~小弟有試過ㄛ.

, J4 k+ W/ ?- O* S# x6 o* H4 n只是 silicon 上 跟 hspice simulation 會有比一般 20ua, 電路有較大的誤差.
$ @' I+ T% z4 w2 j2 _. Y
建議你花多一點時間在 post-sim 跟  device size match , optimization 上.
因為低電流, 相對"抗噪性" 便會變差.

例如: hspice 告訴你 vbg 1mv/ppm.
但wafer 會給你 30mv/ppm. ------ 別意外ㄛ.
1 A+ F& P2 `! t( i- N
共勉.  
' K( m, t- a" @0 G& W. w4 t解釋如有不當  願請賜教   感恩ㄛ

Mr_Adams

1u 的話，bjt會不會 beta roll off了。。。

finster

我是沒有設計過那麼低的
不過,我同事倒是有試過,基本上如yalon會員所述,採用那一種架構其實都可以作到低於1uA的規格
只不過,面積會比平常的大很多,所採用的size也都會是long channel的形式
& z9 i" `6 J- ?# ?尤其是電阻部份,會比平常的大至2~6倍左右不等
4 i. j' \/ s. e因為想壓低電流消耗,必需把各個分支電流給降到最小,故而電阻的阻值也就必需相對增大不少,故而面積部份會相對變大很多
+ d3 D5 V$ U$ H; h" v$ Y. A這是相對所必需付出的代價
; G0 O4 S& M% }  Y& Y4 ?另外,若採用op架構形式的bandgap reference circuit,其op的頻率響應速度也會因為要壓低電流消耗而必需降到很慢,這是相對的限制,故而在設計時需留意此一缺點(條件限制)

122013137

bjt會不會 beta roll off了，，，，，，，，，，，，，

hi.china59

Please visit the following website, for more detailed information
) ?  C7 J4 J5 t9 V" Rhttp://www.eetop.cn/bbs/thread-189570-1-1.html

semico_ljj

2uA可以实现！

semico_ljj

1uA   bjt的beda会不太准

yuyingdugu

2uA可以实现！
" {- L9 ~3 x1 g2 C: Msemico_ljj 發表於 2009-10-4 10:47 AM

4 n& e* z( ?9 n6 t  R' ^
    2uA，电阻要做到很大，不知道工业上能否使用？

semico_ljj

不知道为什么要这么小，电阻很难做的啊面积太大了！5uA～8uA还是比较常见靠谱的！