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[問題求助] bias tee 數值?

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1#
發表於 2009-3-18 10:37:09 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
在這邊請問一下...就是若是使用了bias tee在模擬上會是一個大電感跟大電容,基本上這在ADS上可以用ideal的電感電容來模擬。0 G! F  G0 b% z/ d- n9 U5 k
那如果在其他軟體上呢?EX:Spectre Or HSPICE
$ H3 s5 c. K$ T: F: z# K) @電感電容值用多少會比較好呢?
) a+ o1 D- x% q, ^( f這部份有查過商品的data sheet但是他沒有給值
& h( g: I: f& k4 }# r1 i只有給一些隔絕度之類的參數...8 Q( b5 r$ p$ L( j) _7 M4 C
不知道有沒有這方面經驗的人呢??
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發表於 2009-6-12 10:47:53 | 只看該作者

提供我個人經驗...

我在設計時通常是利用附加檔中的圖檔之model來做模擬..  E7 ~4 {: J- D" X
2 a: f; A$ T9 {8 c3 ^5 ?
是利用HSpice..
& V( M+ C/ s5 y; F7 w" |* r
! @' m& z- x6 o7 c# K$ QModel大致包含5個部份 : PAD. Boading Wire. PCB. BiasT & Terminal(Matching用)7 j+ M  h% _' @" Z6 Q

- B0 k- r% n8 i( g. r. v3 `2 ZPAD: 具有大電容效應..0.3pF~0.5pF為裸PAD,並不包含ESD..若有使用ESD則需要再做XRC將寄生效應抽出來
: k4 x* K; L2 k. {! d3 [6 z1 a
) V- U# V& w. B, r+ [/ x) BBoading Wire: 會有大電感..約2nH~10nH. 因為我量測皆採用die on board所以線並不會太長,取0.3nH2 q: c3 E0 ?$ G* W

  w8 C7 k$ b% K0 J0 q& V/ {; R# R& b/ G* pPCB: 也是具有大電容..若有包裝的話也要將PIN Cap算進去
: A) w) v  Y( M  Z: V0 R( @& Z( k* q8 W1 d( ~3 k0 O( p; B( [. E: C
BiasT: 如圖model
0 w0 v& [0 Y* x; A! R& ]
. w7 A& J" ~( G6 m: y9 XTerminal: 為了與示波器做matching之用..Chip 50Ohm vs Scope 50Ohm -> 無反射
2 v& f; D2 B( O+ U) M1 q" Y* P) p/ ]+ f( k  Q
此為我個人經驗,供參考,若有問題再一起討論囉!!

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7#
發表於 2018-12-7 15:36:59 | 只看該作者
不知道是怎麼樣的文章) \3 j2 _% Q1 x" j% n
趕快下載來看看 謝謝分享
# [5 [) {9 b$ a; x3 U, }( ?下載來看看!
6#
發表於 2012-4-6 10:31:38 | 只看該作者
不錯的分享感謝BIJM大大  講的好詳細  我自己也是用datasheet上面的model去模擬4 T7 v8 I, w6 Y9 F  k# [' L: M4 T. b# ]9 a  P4 H! h
不過好像跟用理想的模擬其實差不多
5#
發表於 2012-4-4 18:10:14 | 只看該作者
感謝BIJM大大  講的好詳細  我自己也是用datasheet上面的model去模擬
4 _. }5 f7 z" ~% C7 j% W! J不過好像跟用理想的模擬其實差不多
4#
發表於 2012-1-6 14:24:28 | 只看該作者
謝謝分享~希望model是對的
3#
發表於 2011-12-8 22:00:01 | 只看該作者
may you mail to me??
' O6 y9 t1 q7 @# J& vthank you very much.
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