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[問題求助] 請問一下Guard ring要怎麼畫

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1#
發表於 2008-1-18 17:17:07 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
  w6 d/ s) i6 E* _+ |1 f- b可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"
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發表於 2008-7-10 15:21:06 | 只看該作者
在此先簡稱Guard Ring為GR,5 _& h1 u4 m- R, U6 U
畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp5 Z3 ^( N. n7 A3 Y' _5 T
如果是NMOS就打PGR,PMOS就打NGR' M4 e. ]  Z; o- Q  N" \9 |
所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇,
* l8 Z; V, H' W' L# nNGR就是metel+cont+diff+np,  n/ v+ I. n# f  ?  E% x
PGR就是metel+cont+diff+pp,* a5 z5 Y+ G, ]* X$ f2 a& C
要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住,. s: ^1 w  t5 l# d# N, X. s, g  R% ^& s
GR的目的主要在降低雜訊干擾

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發表於 2008-9-25 17:16:29 | 只看該作者

回復 6# 的帖子

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍3 r; z. c" l. w. S: O4 G- }
再圍上一層不同implant的Guardring
" A5 c$ v; L; |  L以達到雙重保護的功能
. p* f$ @4 }: ?2 h9 u/ D: o7 |( {& P+ h; y9 K( [
例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
" i- t6 j! X% n再圍第二圈 就是PGR% C5 G+ q8 B& |2 ]

3 U. t( \/ |% p  ]) {7 ]必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候! a6 p, w) i4 W+ |6 v3 T9 K
此圈Guardring必須加上NWELL" z) a, `. l$ d1 _' o
而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
: ^3 B+ {. F: F  l) ?不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

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3#
發表於 2008-7-11 22:48:37 | 只看該作者
不同的工厂有不同的画法,应为定义不一样,所以要看工厂而定!!!!
4#
發表於 2008-9-20 19:20:24 | 只看該作者
可以在tf文件里面定义,也可以自己定义Multipath来做guardring
3 X( a+ p9 J6 P  n+ M在tf文件里面定义大概格式如下格式,但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用
2 m: {$ y+ g. S+ w4 o) N
' k% [. s1 G  H% blxRules(
; v1 |  J, ?4 O: `
  }. F  m% ?9 {; s3 xlxMPPTemplates(
/ `  ]7 ^0 {9 E7 ~# F# \3 W;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] ), n  P, d1 D% @: i
;
5 a  D/ i& R! f; masterPath:
# }( ~; p( ?8 b4 E* c" X; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
/ d6 p0 [4 v; w0 l[offset]5 ]" E- Q$ I8 j# y7 E' o
; [connectivity])% L  a. o1 o$ g
;6 P5 S) ~  o& [2 v& @$ s
; offsetSubpaths:6 M+ S; C( c8 J, H* l) F5 O5 w
; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]& h4 L, V9 d6 U
[endOffset]( M- J! L7 M% l7 @/ A% H/ H7 A' X
; [connectivity])4 [; W9 h5 K' z, h. ]
;% J6 [5 U0 _( {4 E: M9 S3 @
; encSubPaths:- P/ j: q8 z4 t( X% L$ r
; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]0 y6 n3 o, Z3 Q3 W9 O
; [connectivity])
) w8 P" t) _. r; j;  Z, _2 K- ]" D( V
; subRects:
8 F4 Z7 }# e6 Q+ X$ ^8 \; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]: }/ Q# {! g0 T! P# K1 t) w9 p$ S" t1 A. j
[space] [begOffset] [endOffset] [gap]! Y; ^  n$ z6 L! {7 D7 u' g
; [connectivity])
' L3 F  B- g* M0 s7 r4 V;
' K* E4 n+ Q, W; x6 q; connectivity:
/ o2 I5 x- K* k$ l* X# G; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
; a  l- }- Q. |9 A: n; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
) Y5 e5 G% I3 e+ m, C; [refHandle] [offset])
+ ], u+ M6 t' y6 q+ X;
3 }' l* h/ f; Q5 e;( ---------------------------------------------------------------------# ^7 d# m! k7 M4 c7 l" Y& E
)8 K0 o: B9 V; a5 G0 p* a

" a/ b$ u8 l* k! u(PP_RING_ROW_1$ G. S4 K1 Z  q: |& b" ^, U
(("PIMP" "drawing") 0.46)
9 f; X2 U+ M' j8 k4 V1 F' G- Y( Onil
1 j. ~, H9 p; v: `+ _# v((("DIFF" "drawing") 0.02)
% g+ e. r9 D- Q(("METAL1" "drawing") 0.06)
# D" ]0 j3 |3 e* m4 ^)
0 f0 v% j; Z( ^; H! ~((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
, T$ e5 ^) F1 [- x& Q0.28 -0.25 -0.25)
6 V5 l' t8 f/ h% {9 X1 S5 Y# P)' Y9 q8 u. u9 d
)6 |  C# l2 x' l# K& m
..... any other MPP define..
' [" m# B6 ?( T; I+ i* f: j" e..... ....6 M# b  R8 ~# _6 a; L6 Z( Y* M
..... ...$ _. O/ W* |- r

) _9 C, j& j  [3 N- q- x% i) ; end MPP
% J) w7 C5 R. o, ?; E.... other class
. K$ v5 A/ f3 o7 [5 |4 v...
5#
發表於 2008-9-22 11:13:07 | 只看該作者
要看那版的5033沒用,要5141版以後的," A: Y  ?9 |" u1 `& s
就會有類似laker的auto guardring功能一樣,/ M; H- U. u2 ~9 {+ \
圈選device就會幫你圍起來了,這功能很好用
4 g! t6 Z- c5 R; K+ q, z* w4 W,還可以打雙排contact當esd ring。
6#
發表於 2008-9-22 11:35:59 | 只看該作者

回覆

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫" C3 J5 b5 H- T& T7 w8 L+ `+ F7 g
謝謝! |9 ~! n0 `. ]6 h# }6 p
~~~~~
8#
發表於 2008-9-26 16:37:52 | 只看該作者
實際請參各proecss DR中的Guard ring rule
9#
發表於 2008-9-26 16:49:25 | 只看該作者
總知 !!
7 w! g! @8 x7 n7 Z7 CNGR n-diff 就須接最高電位.
) K, L- z" M* d1 ZPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
: x* k- U# n  K: L: S; h
0 \) A6 T6 P# ?: Y3 f2 b8 B" Q目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.4 g5 U3 [; p" _( _/ t! v

# [7 L) ^- R7 f( D' r! b 共勉.
10#
發表於 2008-9-26 16:54:51 | 只看該作者
總知 !!
5 J5 Q; X" E) }4 G  S  U1 z) jNGR n-diff 就須接最高電位.
% o# [2 m6 v+ b& M+ ePGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
4 _) l" r' o3 Z' K6 L, V8 b" _4 X+ U! W+ _0 _- \% r' o* X6 x
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.& {9 s$ P3 E  V* w1 j

# [6 D7 E7 }5 ~5 d8 u- [ 共勉.
11#
發表於 2008-10-9 11:22:12 | 只看該作者
這是我自己定義Multipath用來做guardring
$ X8 I9 D$ q; p- \' T$ ~直接LAOD就可以用了
$ ^- a2 m# y: I6 T# u2 |0 X% \! ADIFF
1 F+ k/ m" Q; h2 Y1 HPIMP' k( a. C! N. {7 B$ X
METAL1
* s, p0 e: S+ I/ k4 \+ }2 ^) F" {CONT' b$ j, i2 j) w4 S6 E: E" ^
LAYER請設定成以上名稱2 I) k3 Y$ F& [+ Z: |4 x
2 Q- D+ W$ d; k% d4 ~
[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

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12#
發表於 2008-10-15 15:04:54 | 只看該作者
直接修改techfile?
0 I- M" i8 c( r, B: A# _9 e) @6 N  Z3 aload后如何操作?
  D) T+ c6 j) i6 x4 q谢谢了
* Q3 I* V1 }5 T这样限制字符,有点不太好
13#
發表於 2008-10-15 15:44:41 | 只看該作者
大大能否不加密,改你那个文件要方便很么啊,十分感谢的!!!!
14#
發表於 2011-4-20 00:21:35 | 只看該作者
原來guard ring double layer 是這樣子,很感謝大大們的分享。
15#
發表於 2011-7-31 09:24:10 | 只看該作者
以上讨论的GR 都没有问题,对于Analog来说,devices通常会放在完全封闭的GR里,对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时,很多Foundry都会要求Double Guard Ring。
. D# |( `) t( ]. R' h. }( u1 u/ A, }
, s& b* j3 t% Y+ W# H! _$ C0 J5 z想说一下大家没有谈到的问题,其实GR还会用在Block外,对于Analog而言,Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响,对于High Speed RF circuits,substrate noise 不能忽略,常常需要较宽的Pdiff(接干净的地),Ndiff(接干净的POWER)来收集Noise,不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构,而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

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16#
發表於 2011-9-15 14:24:58 | 只看該作者
最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD
17#
發表於 2011-9-21 13:06:53 | 只看該作者
看了各位大大的討論,真的受益良多,謝謝
18#
發表於 2011-10-12 11:31:46 | 只看該作者
謝謝前輩們的精闢解說!!!
19#
發表於 2014-10-8 23:11:21 | 只看該作者
回復 15# smilodon
+ _- _$ ]3 z% h$ ?5 c
& d7 q1 Q5 @1 b  b碰到BiCMOS情況,npn管是否直接在外面接P-tap接地,N-tap接電源;pnp則外面是N-tap接電源,P-tap接地,這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢,請指教。如你說說,是否涉及到RF之間不同模塊,模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離,這樣子會得到不錯的效果呢。# ?, C5 `) z* h' O' h
非常感謝,請指教~
20#
發表於 2015-6-17 21:08:54 | 只看該作者
guardring是很重要的' M0 O( @/ N3 K0 `7 F
不能亂接
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