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[問題求助] 請問一下Guard ring要怎麼畫

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1#
發表於 2008-1-18 17:17:07 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
. S6 @( E$ l3 z2 R/ k可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"
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發表於 2008-7-10 15:21:06 | 只看該作者
在此先簡稱Guard Ring為GR,, o; f) W! v* e" U
畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp- l4 `* @4 E6 G& j6 [% D6 W" D; c5 ]7 K
如果是NMOS就打PGR,PMOS就打NGR" q- S+ A/ D+ |- h. j
所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇,6 y5 [( s2 l: x; D0 N# X$ E
NGR就是metel+cont+diff+np,, H% D- y: x! k  k
PGR就是metel+cont+diff+pp,
1 B9 b2 L/ |/ G* p: H, S1 R4 v要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住,7 A/ w* M- I% U9 N
GR的目的主要在降低雜訊干擾

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發表於 2008-9-25 17:16:29 | 只看該作者

回復 6# 的帖子

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
$ e( D/ m3 ~: p再圍上一層不同implant的Guardring
4 i2 c5 a' e; ~7 M! g# Y以達到雙重保護的功能
+ O3 |) {; P* e+ k
4 b' U9 G% }3 W' n例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用): s0 c) D, n9 D- G$ u9 ~% n8 o8 d
再圍第二圈 就是PGR
8 ~( {3 l! t' u4 J
$ C9 I  W* j8 {1 J0 Z+ S必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候! \# F% D" ^$ L& w+ e$ B- N
此圈Guardring必須加上NWELL
" }7 L8 c5 M& n3 b而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
. t0 d( C/ I9 Y8 y# R6 k/ z7 d不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

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3#
發表於 2008-7-11 22:48:37 | 只看該作者
不同的工厂有不同的画法,应为定义不一样,所以要看工厂而定!!!!
4#
發表於 2008-9-20 19:20:24 | 只看該作者
可以在tf文件里面定义,也可以自己定义Multipath来做guardring
2 D) J8 |: {5 K: V. F* L  q在tf文件里面定义大概格式如下格式,但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用/ G2 [1 e2 v/ }: t6 |1 P, D
- R0 @; X+ y* ]$ u! i0 S; n: R
lxRules(
. T, E& E2 w4 l9 P
+ k/ l& S( x& T: V; g' OlxMPPTemplates(
2 n: g) S, y) d;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
# m' E: Y; s0 a! j;) S( C0 U- y+ ]" K: P( d  _7 D
; masterPath:+ E, r  o( Q# M" r7 W; m
; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
5 K- S9 C% g* e, S[offset]
# a1 K8 }, |+ a; [connectivity])
2 k3 a% O  F/ }7 ^+ {+ Y;
+ @7 ?  o. Y- h! ~" |5 t! O; offsetSubpaths:
' M) @. T- E) `, R5 v+ E# y; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]) `# q$ G. `) g; d' ~) y
[endOffset]
! z0 ~8 q# Z7 X: `; [connectivity])2 ^$ A3 O5 J  d3 v  A
;( r/ h; N) `7 K- \# H0 {* `: i6 T
; encSubPaths:
: a1 M" g9 D+ f2 ]: E- c$ ]; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
( F$ Y- ^0 P8 _$ w; [connectivity])7 k8 X5 g* \4 j+ J4 w
;
$ R$ e( K: N6 I; subRects:" _- h! `& R, u: Y
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
! a% E7 a( z4 ]. i9 y- `[space] [begOffset] [endOffset] [gap]% K/ L. q+ k( y8 H' T; J. s0 w9 Z, Z
; [connectivity])
/ A5 R1 ~7 a: }) l;) D# W% I8 r' V0 K' A
; connectivity:
3 I; Z, w+ v5 I, q9 g5 u; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
4 j) H% r# E+ l; v( ~; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
, c' s7 L' s( ^: N1 T; [refHandle] [offset])4 ^1 T9 p  ?  L' k4 ?4 D
;
6 j9 U9 b* G4 Y7 }- c  o6 ~! {;( ---------------------------------------------------------------------$ e5 e0 t1 s  `0 K* E* A0 h$ U
)* a- L( u$ t- f6 [* I* k2 P4 u' M

, C) ?9 {4 y0 U7 i(PP_RING_ROW_15 B8 p9 n1 E0 r. o$ ~) M
(("PIMP" "drawing") 0.46), ^' {% ]7 Q! G, K; H0 B
nil' i! [8 K! l' C2 e# k$ N
((("DIFF" "drawing") 0.02), ?' R% E; K& @5 C$ k
(("METAL1" "drawing") 0.06)
0 o, O5 e6 A' z8 l7 z0 b% e4 G)' o! Y- u5 R% T. }) T0 R
((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil; `  ^+ X1 {3 ]9 h% k  Y/ W* ]
0.28 -0.25 -0.25)+ G) `& u1 @# Q! b5 f! F$ `3 x
)$ [+ o2 }7 ^# z" {. Y
)
0 L: {+ _+ ~( Q$ i/ q4 p..... any other MPP define..! o' R8 F$ \( p
..... ....  k- Y5 o! i7 q' ?
..... ...
3 C7 ]- V% o/ y" m& R7 h. o* Z! v7 a( p9 @% D, Z
) ; end MPP
+ i+ p' x/ D( l( p% Z/ |.... other class
% ~# X, ^$ V9 s...
5#
發表於 2008-9-22 11:13:07 | 只看該作者
要看那版的5033沒用,要5141版以後的,$ s* z8 V' J3 i+ |0 A9 h* r" ?
就會有類似laker的auto guardring功能一樣,
9 G& o' ?  S: d6 K5 m' M圈選device就會幫你圍起來了,這功能很好用8 d; X( k  l9 a: O8 r
,還可以打雙排contact當esd ring。
6#
發表於 2008-9-22 11:35:59 | 只看該作者

回覆

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
8 z9 E- h; a! r- j" n  c謝謝
- ^6 p7 D# ^( G! E/ C~~~~~
8#
發表於 2008-9-26 16:37:52 | 只看該作者
實際請參各proecss DR中的Guard ring rule
9#
發表於 2008-9-26 16:49:25 | 只看該作者
總知 !!0 t$ t6 v! s! a. E! N& ^
NGR n-diff 就須接最高電位.
" U" ^8 v* S! Z- kPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.1 W. O7 L5 }- J1 `
0 j$ W1 R4 X: Y
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.5 t+ ]( X" W" L2 g9 u

* w- p8 J( B. e- e5 r. `& { 共勉.
10#
發表於 2008-9-26 16:54:51 | 只看該作者
總知 !!0 n8 c$ H; @* u6 D* J" p  y. q6 s
NGR n-diff 就須接最高電位.3 ~  z2 C' ~9 T1 g2 b# U9 n/ [
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
: w/ \. q8 t) m* e" V1 z" Q& _% G8 h- w7 R% v- d
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.3 C& g5 z+ @; F+ U4 o3 a3 \. d( s& \! I

; g4 \" ^& ^$ @# W 共勉.
11#
發表於 2008-10-9 11:22:12 | 只看該作者
這是我自己定義Multipath用來做guardring) H0 E4 F- Z( A7 @! o' e' X. _
直接LAOD就可以用了% t" K$ s  S4 W- W. x
DIFF* o: b  O2 H  b" K& Z$ d
PIMP
4 y5 s! s, W  W# _$ R* kMETAL18 X# k, q5 z$ |0 k, ^$ Q- H0 ?+ ^
CONT9 x  M9 _/ f) A) G' W5 m
LAYER請設定成以上名稱" S6 m6 O4 n6 v- d) w

0 ^$ a/ R# s' e6 a2 ^[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

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x
12#
發表於 2008-10-15 15:04:54 | 只看該作者
直接修改techfile?
, O8 o9 z/ H$ D4 A5 @load后如何操作?6 X' y7 C/ E* H; B# Y+ l+ A" \
谢谢了3 I2 Z1 i' z; k: f0 s
这样限制字符,有点不太好
13#
發表於 2008-10-15 15:44:41 | 只看該作者
大大能否不加密,改你那个文件要方便很么啊,十分感谢的!!!!
14#
發表於 2011-4-20 00:21:35 | 只看該作者
原來guard ring double layer 是這樣子,很感謝大大們的分享。
15#
發表於 2011-7-31 09:24:10 | 只看該作者
以上讨论的GR 都没有问题,对于Analog来说,devices通常会放在完全封闭的GR里,对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时,很多Foundry都会要求Double Guard Ring。. u/ C; A: x( m1 N! j$ ]/ O

( X  g6 I2 V0 _. I1 x5 V想说一下大家没有谈到的问题,其实GR还会用在Block外,对于Analog而言,Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响,对于High Speed RF circuits,substrate noise 不能忽略,常常需要较宽的Pdiff(接干净的地),Ndiff(接干净的POWER)来收集Noise,不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构,而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

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16#
發表於 2011-9-15 14:24:58 | 只看該作者
最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD
17#
發表於 2011-9-21 13:06:53 | 只看該作者
看了各位大大的討論,真的受益良多,謝謝
18#
發表於 2011-10-12 11:31:46 | 只看該作者
謝謝前輩們的精闢解說!!!
19#
發表於 2014-10-8 23:11:21 | 只看該作者
回復 15# smilodon
& y9 ]: \; I. s3 M; ?9 ?8 ?7 U  h
  Q; l7 \* b! c  `碰到BiCMOS情況,npn管是否直接在外面接P-tap接地,N-tap接電源;pnp則外面是N-tap接電源,P-tap接地,這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢,請指教。如你說說,是否涉及到RF之間不同模塊,模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離,這樣子會得到不錯的效果呢。
5 [3 ]3 J) j& m8 D4 C" @) w非常感謝,請指教~
20#
發表於 2015-6-17 21:08:54 | 只看該作者
guardring是很重要的5 `& B# H) c8 W* O4 \. u
不能亂接
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