請問一下Guard ring要怎麼畫

alsama3612

小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
- k' M  F! W0 X: K可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"

bairshinyuan

在此先簡稱Guard Ring為GR，
畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
8 {" y$ b% J; ]8 M2 A( `4 b* g如果是NMOS就打PGR，PMOS就打NGR
所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇，
2 c3 V/ x. U8 fNGR就是metel+cont+diff+np，
PGR就是metel+cont+diff+pp，
要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住，
/ p* m' @% f% c( z0 C, H" yGR的目的主要在降低雜訊干擾

ninesky

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
再圍上一層不同implant的Guardring
以達到雙重保護的功能
! w) i. S, j0 i! O! k% G' Z5 q
3 }& ~* l( j9 q. J  c/ V例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
再圍第二圈 就是PGR

必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
此圈Guardring必須加上NWELL
9 g' s+ h3 r; }1 m而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

瓦片小屋

不同的工厂有不同的画法，应为定义不一样，所以要看工厂而定！！！！

yingzi07482

可以在tf文件里面定义，也可以自己定义Multipath来做guardring
在tf文件里面定义大概格式如下格式，但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用

lxRules(
3 V4 v  W, W8 b3 W8 I
" N7 G  {7 D+ S& A. k. O8 D) vlxMPPTemplates(
;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
;
4 [) Y8 V7 l: x" V6 i$ ?0 g; masterPath:
$ F* X; O1 ?' k2 s; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
$ T, U/ v* i8 h! H[offset]
0 A4 ~- o) H2 I  L* s" h; [connectivity])
, O6 K" o: q5 g( J" B( x;
8 D  q1 ~- {6 f2 i  u# f) t; offsetSubpaths:
; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]
[endOffset]
5 v' @# n- H8 ?0 h2 t% ~! g2 ?; [connectivity])
;
; encSubPaths:
* [+ e+ G8 C$ j- f; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
# d5 I+ f5 c' t$ ]! e; [connectivity])
;
. a0 G- g  ~4 R# d, G; subRects:
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
' y3 m0 f  x  d2 O: @$ T) p; [connectivity])
1 r$ f. t% _& A; X% l;
' S0 j; @! z2 ?" C: w# t; connectivity:
; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
; [refHandle] [offset])
;
;( ---------------------------------------------------------------------
)
2 Z  R, V, E8 a; m9 W* U+ n
' h) j" Y, R# T- N" `+ |9 O(PP_RING_ROW_1
4 f' K, b" ]# F; t1 _& i(("PIMP" "drawing") 0.46)
nil
$ ?+ |3 F% V* d, q5 i((("DIFF" "drawing") 0.02)
(("METAL1" "drawing") 0.06)
)
((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
& H3 r  ~) F5 M) X% v; \6 i3 m) M4 c0.28 -0.25 -0.25)
)
8 |- [$ A$ ^( h+ W( f+ E) P)
8 `2 ]+ n2 ?5 M..... any other MPP define..
3 ~0 n5 H3 M; s1 T7 Z..... ....
..... ...

) ; end MPP
8 l+ T- M& @, S- H+ o0 R: k* p; Y. R.... other class
...

skeepy

要看那版的5033沒用，要5141版以後的，
就會有類似laker的auto guardring功能一樣，
圈選device就會幫你圍起來了，這功能很好用
，還可以打雙排contact當esd ring。

chenwhae

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
謝謝
~~~~~

ecalfs

實際請參各proecss DR中的Guard ring rule

yalon

總知 !!
NGR n-diff 就須接最高電位.
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.

- ?5 L, I' [2 J3 F% P$ N目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
8 a( O  V# B/ A3 f' g* [
/ v  ]2 x# V( n# [% l/ a7 v6 n( E2 g3 H 共勉.

yalon

總知 !!
NGR n-diff 就須接最高電位.
( C. ?3 F0 D: i, o; X* c7 jPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.

目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

, m8 x1 s  `0 b/ N0 ? 共勉.

wolfhound

這是我自己定義Multipath用來做guardring
直接ＬＡＯＤ就可以用了
! ^! N5 X9 F) R; ~5 E! sＤＩＦＦ
ＰＩＭＰ
1 {3 ]* X& `4 LＭＥＴＡＬ１
ＣＯＮＴ
ＬＡＹＥＲ請設定成以上名稱
" N5 n% _. p1 Y" }/ ^. F- w- N( L, g9 V
5 n8 _; W$ O$ s; i8 z[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

summer_hello

直接修改techfile?
" H7 s6 S8 m/ h/ m6 N1 sload后如何操作？
. |; c  f" O8 ^: k0 i: C谢谢了
, A6 u6 v) c/ {" O0 l) Q# O这样限制字符，有点不太好

summer_hello

大大能否不加密，改你那个文件要方便很么啊，十分感谢的！！！！

dendeicide

原來guard ring double layer 是這樣子，很感謝大大們的分享。

smilodon

以上讨论的GR 都没有问题，对于Analog来说，devices通常会放在完全封闭的GR里，对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时，很多Foundry都会要求Double Guard Ring。

想说一下大家没有谈到的问题，其实GR还会用在Block外，对于Analog而言，Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响，对于High Speed RF circuits，substrate noise 不能忽略，常常需要较宽的Pdiff（接干净的地），Ndiff（接干净的POWER）来收集Noise，不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构，而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

spring30467

最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD

8d8d90292

看了各位大大的討論，真的受益良多，謝謝

hungda50310

謝謝前輩們的精闢解說!!!

skygardon

回復 15# smilodon
0 V5 |; i0 E4 s8 M7 ?4 Q* j1 ~1 G
碰到BiCMOS情況，npn管是否直接在外面接P-tap接地，N-tap接電源；pnp則外面是N-tap接電源，P-tap接地，這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢，請指教。如你說說，是否涉及到RF之間不同模塊，模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離，這樣子會得到不錯的效果呢。
非常感謝，請指教～

AIC6632

guardring是很重要的
不能亂接