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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source), 8 p' v* B# r& `) ~' |" i! q
不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source,
; _$ t6 j* w" V& l5 Y6 o" F不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的0 c3 D- V1 F# t" l% K
關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是4 W8 B; x6 e. a) C' y
基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ4 k! _) g5 h$ I
如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的
& Y1 H" A# V) d2 _VIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了 2 C1 n: A3 L' s* P: B* E1 I
電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1
( [  e% L4 x/ e& h+ `0 s& ~
) d( _9 \* J1 y7 @打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩
3 w# n7 o7 Q3 x7 Z! S: }打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容,
! _: V( {% M# `. H" @  ], o/ j* u/ @# p0 Z0 ]5 }
要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度
+ r) F2 ^; Y. R' hvia 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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