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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source),
4 f5 C5 B* `7 ~! e4 G不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source,
. K: F- [* j8 u; b; m: N/ t不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的+ C% y% S4 j) x' x7 B
關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是& J2 S# _/ u8 f$ j- W/ i2 {
基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ
, v2 [/ o/ z1 y+ l. L# H9 D如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的 * z3 i. u: G1 Q5 r  P2 g) b
VIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了
2 b7 A; L. m. Y* O電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1
3 A4 U2 c, ]% Q: A
3 {6 X! }/ T5 W. h打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩 . ^( |' ]2 |( w# v% G1 T. I
打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容, $ U- H4 g: G+ l% U
" D2 z5 M# O( k$ T9 A3 N9 m2 X$ L
要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度 ; [3 }4 K5 P9 ~- f; I' b) e! T+ r
via 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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