弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
2 z, ^5 y7 d5 }+ t* G( N      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
( y: ~  j- b  U1 x" p! u4 m4 D# \- W    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
4 l: x6 e) L4 _! n% y    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
; f/ v9 x/ b! i4 \) @) P, k    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
9 W: o9 m, n+ p! k    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??
/ R% J) k8 Q% }& i) T+ V( J
      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
) w( V' G" C! @% r3 X    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
- G2 p2 r8 c# \8 P9 ?    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??

      請各位好心人給意見^^謝謝

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
o代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
o  X  o  X  o
: C  c0 d$ k! B, VX  X  o  o  X
o  o W o  o
X o  o  X  X
7 |, D4 [2 a) |8 Ho X  o  X  o

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
& _! k, _! z! I/ q" astrong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
所以直由公式直觀的算,
假設gate driver = 0.2V ..
6 Q0 ?/ o& d% p; d要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

YuanII

謝謝大大的回覆@@
小弟大概知道意思，
謝謝。