設為首頁收藏本站
開啟輔助訪問 切換到窄版

Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步，快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
12下一頁
返回列表 發新帖
查看: 52171|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
372412
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂頂30 踩踩 分享分享
回復

使用道具 舉報

推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias6 q8 h) U: n( K: N" S9 `

8 A7 D; x9 K4 B, D1 G, Y/ d, Spoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密" g+ }0 R8 W# B8 W; M7 ~3 W7 j9 A; D
大部分是要match
8 W3 h# L0 J" p  [. D+ P+ _+ qMetal poly  density  不夠
' m6 V1 o& s' l1 i7 `. R, x. v加ㄉ那些也較 DUMMY
5 M! B0 V- p+ s8 {# }把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
回復 支持 反對

使用道具 舉報

372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 2 P: j; q& o) N! ]

5 `0 R. _, L3 K3 z' u, o% E8 `3 |: G' z: ~  o) w9 A
    感謝樓上的大大
3 z6 I  P  ]' O  x* n   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
回復 支持 反對

使用道具 舉報

zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
回復 支持 反對

使用道具 舉報

6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
回復 支持 反對

使用道具 舉報

7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
回復 支持 反對

使用道具 舉報

372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ) i& l1 l# m2 ~" F4 S: x! P  j

) w9 z  {+ i+ c* m1 L" l# Y3 i9 E! V, [2 [1 [
    感謝您回覆的這麼的詳細
% F% A& E: g- w4 N2 Y. b2 @- U您真強
回復 支持 反對

使用道具 舉報

9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!. f9 A& P# |+ [+ s& }
9 G3 h: r) E; B' a% S* v
不過簡單來說
! S  D6 H1 \7 X+ p( e* D1 P在製程時食刻會破壞掉你的元件
0 {( `  L) s, `9 v: a) p而特性就被損壞' {( N9 u" v) }1 C2 _& A8 B

& l; L( i1 x, q2 l8 \  p1 v  f! h% u若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
# d. s9 U( q/ V% q0 p所以蝕刻吃他最多4 v5 @& ~* L9 `
主要部份特性就不會被破壞! {7 R  g+ {7 S9 x

7 p0 u: c9 X7 |. w  \: h: u很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
0 R! a0 \* j; z" @' u0 p" D- ?6 V所以可以多找網路資料也有
回復 支持 反對

使用道具 舉報

10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
回復 支持 反對

使用道具 舉報

11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
* X# I- h. u$ E* X
' Z4 u& U: k; X) W8 \又學到一個知識了!!!
回復 支持 反對

使用道具 舉報

鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
) M: W# a# Y' [7 R3 f- c6 Q還有電容也要加
+ ^6 f4 M0 [& ^8 B& `若有空間能加的都加也無彷
回復 支持 反對

使用道具 舉報

13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
回復 支持 反對

使用道具 舉報

14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
4 k. y8 m$ X, c% R0 l. c" p/ f5 }* [+ B8 L' L5 T( X
and i love it!!!
回復 支持 反對

使用道具 舉報

15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
回復 支持 反對

使用道具 舉報

16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
回復 支持 反對

使用道具 舉報

pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...5 k5 i/ c- n; S) h; c
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# s: P! f5 i% h& d) N6 R9 Z
$ t( P/ g4 c  `; V6 ?) G! G5 \
+ s  U; F. @8 V2 q, ?* g    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
回復 支持 反對

使用道具 舉報

GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
( i0 ^8 u: _7 N  D& ?) T9 {( p( B1 Q9 j' {$ i# u
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??5 C: ]# W2 D! ]2 Y

4 G' c3 X# B" m6 y3 M數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
回復 支持 反對

使用道具 舉報

19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
回復 支持 反對

使用道具 舉報

20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
回復 支持 反對

使用道具 舉報

下一頁 »
12下一頁
返回列表 發新帖
高級模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-29 02:24 AM , Processed in 0.133517 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表