用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
- y7 @& N% R# x& v4 z$ c+ ]6 C請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
% G* Q* e) V8 l5 |. {因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

. T  a/ ?! u1 o感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
+ l- i0 {" H) D; \, S/ A+ V; a/ ~可用軟體模擬出C-V曲線,
+ M, d: D2 J, s) [6 IBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
1 a. c# |& G% `) g- Q6 _2 wspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
0 z' p% l% r% |' F; {使用這種元件並不需要多加光罩,
, D3 `0 R0 L. i4 z0 U9 x/ m/ S建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
7 h$ `9 k8 R! s7 K$ r) L" C0 P
/ K: M" a" G& x哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
" X" o$ {  G5 k# g6 W# ~! F* Y.print CGG=LX18(mn1)
  I8 o; [8 l. f% G; R.dc vin 0 5 0.1
. }. k; z7 g% {, k' _9 @....
: y+ J8 u. C, l: P' M; `7 E6 x.....
4 u( Q9 H' p6 j$ `3 `& K# C.......
.end
+ u$ ^+ t( v- i4 c2 w然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~
. |5 o% g  c+ ?- A
7 @+ _" x+ E1 s* d4 Q對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
6 @( p# g$ s9 r% v+ s2 n而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
" }. x7 b1 k6 ?7 X  k" q: O
8 p6 b# |: H% r9 x$ L比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值