弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
: N- R" l& L8 M9 h! q. e      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
4 ~- T4 {! t% S# I7 p7 s    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
( h9 Z1 Y' N$ {    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??

      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
) I* J/ x& u% \6 ]( _" l/ r: |, `    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
: A8 B& h7 Y( z      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??
1 W5 k! U* F# w! z" d
      請各位好心人給意見^^謝謝

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
1 |7 L% Z" O) ^- Z$ [4 M0 z4 [o代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
o  X  o  X  o
X  X  o  o  X
) y8 p7 Q/ e! P8 _4 m  k6 d# so  o W o  o
' D% ]7 B0 f# r* u7 ?8 xX o  o  X  X
o X  o  X  o

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
' [8 k, M9 d- O- h' W/ [strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
% I; o- U' F7 I3 G- o, x& ~2 f所以直由公式直觀的算,
. y  ]$ _4 a8 W' b' _& w假設gate driver = 0.2V ..
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

YuanII

謝謝大大的回覆@@
1 R2 {8 c9 [" J6 Z! W4 y小弟大概知道意思，
  b! A' ~8 S% @謝謝。