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板上的各位前輩好..# s. ]' n- H1 x9 y
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我現在在設計一個sdram的控制器,我根據著datasheet去設計。5 q* B2 j" H: q, V" v5 p+ C
也把他的流程圖都畫出來了
2 C; u" c$ z* T7 ^) ?
. A: ^8 `4 T( E" T1 f/ W但是現在有一個問題困擾我很久,我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作
9 @0 c' L; V! p- [只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題
: R9 b* l z+ C, u6 ?$ U7 x0 r; Y舉個例來說
7 f! s4 {2 U+ e9 q* D* W( EHOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料
( k$ p& a) Z: J& U, c4 z正確的結果應該是讀出(1,2,3,4),但讀出結果每次都是(1,1,1,1)4 r8 Y8 P1 [( {( j# A
四筆讀出的資料都是第一筆,不知道是發生了什麼問題????' a) c! H$ v2 @! @* W
不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?
: |& _( s& Y {; D- P還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料? v! L$ K0 M" q0 D$ d
! ~$ x4 Z6 \9 K' f9 t7 S8 B0 n我用的是Elpida(hitachi)生產的SDRAM
' C5 w+ x- U& l2 G9 S/ }! u型號是HM5216165TT10H% s$ n, d- B1 z$ m5 t9 T- w
* y: G3 ?4 @: J; j& j
不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?6 u& o; ^3 L- U& G
能否提供給我一點意見去解決,我已經debug一星期了還是毫無頭緒....2 N d) H1 f! u" p' T7 D+ a. v
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謝謝 |
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