有關動態電路layout的一些問題

piepie1244

請教各位專精人士，
* K" V9 f! H$ ^* G小弟目前要tape out一顆32bit的Kogge-Stone adder（130nm TSMC）（主要
% B; a3 Y9 X' _2 p+ w) g$ u為dynamic circuit)，有幾個基本layout的問題想請教，
  r; i3 d+ m( [! |  u5 P3 E
: N' @6 T- F( K9 Y. G# a1.因為是數位電路，想請問一下，直接在MOS的diffusion上（已有contact和metal 1)上打一個via到metal 2，再由此metal 2把訊號（Drain or Source)送出去，這樣的layout方式好嗎？
/ H! K* j7 a3 h6 l, T9 X2.clock除了要長clock tree把clock訊號送到local的電路外,有沒有需要特別注意的，比如說：在local的電路裡，要注意什麼情形才不會使的clock skew變嚴重，local的clock要走哪幾層比較好，等等之類的
* k' M3 P3 U$ z9 y. J3.在這種架構上，有沒有需要特別注意的地方。
; c5 b, T, h9 N
因為是第一次lay動態電路，所以不太清楚要注意什麼，還有請各位大大提供意見。感謝

jauylmz

請問 m851055

" k* i% \  L0 U* R* q% g就這點需裡要如何改善   加大 Spacing嗎，還是要先拉一小段線再換到M2

m851055

原帖由 piepie1244 於 2007-9-5 08:14 PM 發表
8 n" w, S$ m5 T9 _8 a6 _$ E請問一下 縱深大 會發生怎樣不好的效應呢？？ 謝謝您的回復

在etch時侧壁的metal會etch不乾淨，造成的影響如殘留metal掉到其他導線上，造成leakage......................

piepie1244

請問一下 縱深大 會發生怎樣不好的效應呢？？ 謝謝您的回復

m851055

1.因為是數位電路，想請問一下，直接在MOS的diffusion上（已有contact和metal 1)上打一個via到metal 2，再由此metal 2把訊號（Drain or Source)送出去，這樣的layout方式好嗎？

+ i2 [; y2 H8 b5 Y-->較不好，因為縱深落差較大