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[問題求助] bandgap提高精度(救命)

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發表於 2008-8-9 17:15:04 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
3Chipcoin
为什么精度这么低????怎么提高????
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感覺你的電路應該是沒問題才對, OP gain也夠大 要不要改成這種架構試看看 我自己之前再做bandgap reference的時候是採用這種架構 HSPICE模擬 採用UMC0.18 3.3V 另外附帶一提的是 BJT最好用5*5或是10*10以上的 做出來的IC每顆之間才不會漂太多 而且電壓會比較符合模擬的結果 [ 本帖最後由 monkeybad 於 2008-8-11 04:06 PM 編輯 ] ...

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8#
發表於 2008-8-11 17:34:27 | 只看該作者
哈哈 我不是什麼高手啦 這是塞到的 我自己也不知道BJT大小會有影響 just lucky!( q# a# o' d" |+ O! F
不過很高興問題能解決啦
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7#
 樓主| 發表於 2008-8-11 16:27:16 | 只看該作者
高手果然是高手  我改用PNP10  结果只差1mv" r) t3 d4 U5 A9 B) \2 _- `
谢谢!
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6#
 樓主| 發表於 2008-8-11 12:49:53 | 只看該作者
原帖由 Frank_wu 於 2008-8-11 09:33 AM 發表 ( I4 h% H/ [: g5 M' N3 L" Z
從你的Simulation Result,BGR的溫度係數大約是50ppm,% L5 O- e( `3 z: o' m
如果你沒有current consumption方面的考量,  L9 t" l: U4 T7 p2 x2 }; ]! D
可以考慮使用高階的正溫度係數補償負溫度的高次項5 n0 O5 Z5 |0 e4 o& R8 [7 E* E
(如果補償至二次項大約會增加幾十uA with TSMC018)
0 D2 e5 i, k, n& Z# d7 `; h- p% B
如何补偿呢?这种结构一般做出来都可以达到10~20ppm0 ]6 d$ I' s* K) z% `2 z8 }' U
我的为什么这么高啊?  很不解。OP增益在88DB
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5#
發表於 2008-8-11 11:22:30 | 只看該作者
7mv俺觉得已经很是可以了。& t/ z/ X2 S; e: q( s. o  O
如果还不满意,如3楼吧。
6 C( S' Y8 i6 `) u
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4#
發表於 2008-8-11 09:33:28 | 只看該作者
從你的Simulation Result,BGR的溫度係數大約是50ppm,
* \/ ~5 \9 _2 [5 j如果你沒有current consumption方面的考量,. a, }3 B. M/ U3 b7 K: v
可以考慮使用高階的正溫度係數補償負溫度的高次項$ s; N6 \4 v9 b2 I9 c' V( i
(如果補償至二次項大約會增加幾十uA with TSMC018)
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3#
發表於 2008-8-11 09:22:59 | 只看該作者
我也覺得這樣的 BGR 很  OK 了啊∼
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2#
發表於 2008-8-10 23:45:25 | 只看該作者
你的電壓差在高低溫度變化下只有7mV,算是很小了
" `4 S+ B4 }  _如果說這個樣子的精確度依然不足,那你的規格要到多少才符合規格呢??
  d9 E" k1 w* K7 R* l! B另外,你op的gain為多少dB??  r0 J$ V! S5 Y! N$ y0 F
你的bandgap reference circuit有沒有電流上的限制??
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1#
發表於 2008-8-9 17:15:05 | 只看該作者
感覺你的電路應該是沒問題才對, OP gain也夠大  Z) a4 H" c6 q. V
要不要改成這種架構試看看 我自己之前再做bandgap reference的時候是採用這種架構! ?9 J, r4 r  o4 V/ X( u$ I
HSPICE模擬 採用UMC0.18 3.3V
6 K& A9 C2 k5 i另外附帶一提的是 BJT最好用5*5或是10*10以上的 做出來的IC每顆之間才不會漂太多/ a4 y2 P6 e- u/ w
而且電壓會比較符合模擬的結果
5 C3 Q/ a; t. u) q  c- @# w, T2 D, d- G, W& B8 J0 k. E
[ 本帖最後由 monkeybad 於 2008-8-11 04:06 PM 編輯 ]

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