Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 16267|回復: 7
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] Statistical和Mismatch model

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2008-8-8 16:19:43 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問有沒有人知道Statistical和Mismatch model有什麼不同?0 F- Z0 y( Y1 [- w4 R- G

. f- q8 r1 J% C* a感覺好像兩個都是拿來run Monte Carlo7 H2 N% A$ T# w3 ]" B8 e' g
; N: l8 _: e6 @! y
如果我是拿來run OP的offset,應該用哪一個呢?. t* F% m) K; k# C, A
6 y9 L$ \6 V6 o% \" C
謝謝
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏1 分享分享 頂285 踩 分享分享
8#
發表於 2015-11-2 21:24:48 | 只看該作者
哎呀,這個都沒去跑
1 {; D2 l0 \: w; N% r& _6 d我太偷懶了
7#
發表於 2008-8-13 23:11:04 | 只看該作者
As I know, statistical model is for process variation and mismatch model is for device mismatching effect. For offset simulation, I think you should use mismatch model for investigation.

評分

參與人數 1 +3 收起 理由
blueskyinair + 3 THX!

查看全部評分

6#
發表於 2008-8-11 17:03:44 | 只看該作者
我沒有看過TSMC 0.18um中Statistical和Mismatch model,所以我不清楚它的SPICE model是如何定義的
. @1 a; v) o' \  N就以Monte Carlo來說,它有參數可以去設你的W,L,Vt...等參數可以有多大的變化量,同時又是以那種隨機亂數分佈變化,所以,在跑Monte Carlo時,你可以單獨指定某一顆MOS作變化,也可以全部一起作變化,同時,你也可以單獨指定變化W,或者變化L,或者只變化Vt參數* F% }7 U2 Y% {, f" `

" r" s- U) b  h5 E而以Statistical和Mismatch model來說,統計的model,你要看它是針對那項參數作統計,是針對W,還是L,還是Vt,還是其他參數,它的變化量為何,這些在它的SPICE model上應該會註明才對,這些你應該花點時間去看一下SPICE model9 Q$ _! N0 y2 R" L1 T8 S% {' V) {
而至於Mismatch model,這個model感覺是針對製程上的問題而作作的SPICE model,就以mismatch來說,可以區分為layout架構畫法的mismatch和製程上的mismatch,而layout上的mismatch是要看layout的畫法,所以,這個Mismatch model應該是TSMC針對它的機台所作的SPICE model,不過,如果它是針對TSMC的機台而作的SPICE model,那還要看你是TSMC那一廠的機台,因為不同廠區的mismatch也會不太一樣
; |* u! t9 l& Y) D一般來說,Statistical和Mismatch model的用法和定義在它的SPICE model上一定會註明它的用途和相關意函,建議你找一下TSMC所提供的document,裡面應該有明確的說明

評分

參與人數 1 +1 收起 理由
blueskyinair + 1 謝謝

查看全部評分

5#
 樓主| 發表於 2008-8-11 13:44:28 | 只看該作者
我對於Statistical和Mismatch model的差異有一點不太了解
, B" E% p: {9 u, A& h$ O1 k+ E2 `
Statistical model是指說用此model模擬的結果可以fit量測的結果,也就是有點類似corner的概念
1 g; Y) x- D9 a7 M: H8 P* {mismatch model則只是針對製程上電流或電壓不匹配的key parameter像W,L,Vt來做變動,若是要模擬offset就該用此model
. @+ b1 b9 n% T2 c2 T* V# v5 p) X7 f9 s* c" g1 J' J
請問以上的見解是正確的嗎?謝謝
4#
發表於 2008-8-11 11:17:38 | 只看該作者
Monte Carlo的參數設定,你可以查SPICE的使用手冊,上面都有明確的描述) Q5 _5 B7 X7 r
而會跑Monte Carlo,最主要是針對W,L,Vt等參與作統計和mismatch的變化作SPICE模擬
9 ^4 l# \3 c9 [2 b因為Monte Carlo可以針對某幾項SPICE Model作個別設定和變化然後作SPICE 模擬,詳細的參數和統計用法要看SPICE的使用手冊,我都要是跑Monte Carlo時才會再去翻來看" A, k) }6 X6 S

* t% n' B; O: N7 J至於不跑Monte Carlo如何看offset,你可以針對某幾顆你覺得會有影響的MOS,然後個別改變它的w,L,Vt等參數或者值,變化的幅度就看你覺得要用多大的製程參數漂移來設,同時,統計的量化要看你是用高斯分佈還是其他參數) \8 T* L' h  t6 M' H5 h
4 B4 R. J9 R$ j: W& D6 o1 P
另外,我以前接觸TSMC 0.18um的SPICE Model時,並沒有提供Statistical和Mismatch model這兩種model,也許是後來又再提供給客戶使用的吧,不過,我個人覺得這兩種model應該是針對Monte Carlo而作的SPICE model
3#
 樓主| 發表於 2008-8-11 01:42:37 | 只看該作者
先謝謝您熱心的回答
2 O% l- f; g* l2 ^8 E
, B  D5 E% D9 ?  [# j目前TSMC 0.18um mm的SPICE  model已經有Statistical和Mismatch model8 a0 A1 `0 l/ u3 t
提供您更新的資訊~~
/ @4 K* q6 }9 V7 I( w+ t5 X' O
% G- U8 m  D' R" [不知道版主您若要run op offset的Monte Carlo會怎麼設定參數?
! c: B7 W$ B! ]  \4 e& c4 a1 T若不run Monte Carlo, op的offset怎麼會在一般的SPICE model中呈現呢?
6 \: E. j+ u9 s1 w) R1 D( joffset的主要來源不是在於W,L,Vth的不匹配嗎?
3 r) b/ {) j7 g  G2 D謝謝
2#
發表於 2008-8-10 23:38:04 | 只看該作者
一般製程廠只會提供SPICE model,裡面並不會特別去區分這是Statistical和Mismatch model9 b7 R0 Q$ x' E; A! ?8 q/ E
另外,Monte Carlo的model,通常製程廠並不會給,除非你向製程廠要求,他們才會給,再者,一般你在run Monte Carlo時,有些參數你可以自己設定而不需要透過製程廠提供,不過,前提供是你要對SPICE model有相當程度的了解,不然,那些參數要怎麼設會是一個大問題
7 @% G% s( `8 v, |- l* A& l至於op的offset,通常用SPICE model就很足夠,若真要更保險的作法,絕大部份是加run Monte Carlo
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-6-16 12:04 AM , Processed in 0.127016 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表