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我對這問題的理解如下:
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1.( s! d9 K3 O; r. S) S$ F
CMOS製程 我們做出來的電路 如果正常工作 電流應該是會在 substrate 基底的表面流動.....
u9 |3 J/ i6 |4 N6 z, z6 a) w3 {比方一個 反相器 如果正常工作時 不是PMOS開 NMOS關 就是NMOS開 PMOS關
7 o, f( _! S4 X% W C如果哪天 NMOS PMOS 都開, 那這個反相器 就無法正常工作了 (已經沒有反相的效果) 6 i5 c9 m9 G" b/ K0 b3 d2 @. l% ^
輸出 OUT 那一點 PMOS NMOS的電流在 Fighting. 此時 電流正是從 VDD流到 VSS去...% o! k) r0 E, I6 p4 ~
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2. 我原本預期電流只會在基底的表面流動.
5 g4 H# o' n" h' m7 c$ T. v 但只要LATCH-UP現象一發生 電流卻會在 基底 底下 由 VDD 流到 VSS.... (正常電流流動在1F, 此時LATCH-UP, 電流是在B2或B3跑)) D4 |- J/ d+ c) u$ C g
(這是我不想要發生的效應,只要一發生所有邏輯電路都不能正常工作了...)1 U9 |4 m; M$ E( i% M+ ]% O. i
其他就麻煩您自己看教科書 SCR電路 等效於 CMOS 剖面圖的 相關說明, Latch-up是個不可逆的效應 只要發生 Chip就會死得不明不白...2 P& ^. X" J* i8 J
教科書上通常會寫 降低Rwell電阻或是降低寄生BJT Beta去壓制 Latch-up效應,
1 b# ^0 z* a1 h# w* l- P Layout上常見的作法就是每隔一段距離就要打 contact上去
9 |* C' c" f, S* L' i 主旨就是在降低 Rwell電阻.2 [8 D1 Q5 K# h. K( S/ p1 M
不然就是要圍 Guard ring或 Double guard ring, 其中一個功用是 讓 SCR等效電路不要出現,自然就不會有 Latch-up的危險.! ~& Q9 |0 ~# n4 s. l- b+ B, L
. ^) c" k6 _. _8 @, y( v- t/ H如果這些內容有什麼遺漏或有誤的地方,也歡迎大家多補充.
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9 [( L o. U" u/ w8 h7 Z/ Q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-3-20 08:37 AM 編輯 ] |
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