MOS的finger和mutiplier

billcheng

請問各位老大
2 O8 @- p0 i: {1 _: x) t
若應用在LDO的powerMOS
) G9 U. a6 U/ E  ]
使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積，寄生電容較小)
2 K1 f5 P; {% g/ J/ }/ I) w
例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況
) q8 A- i  t, ?/ R/ I$ o
# E. \" c% V8 P2 s2 @若用finger，那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??
4 M4 X$ x; a4 i, v0 T
例如L不能用太小，W不能用超大 ??

) u6 k1 T- K& g# C7 r9 t1 o+ D; C2 ]8 H謝謝大家

e100292002

感謝版主的回覆仔細 收穫頗多

ninja0925

說得很詳細的一篇
( @% S6 I. ^) A7 i
4 k( a* n8 M, B- d1 H4 [: C4 ?謝謝分享

empatheia

回復 3# finster
& s. ^* i! S9 j' p0 U: {
8 S4 G0 T1 n& c6 P9 h# ]4 ?真精闢，謝謝版主的見解與分享

finster

補充一些:
一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等
至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up

jackrabbit

finger 跟 multiplier 的差別
# E; L& ~5 u( ~1 s* S& ]9 s  ^前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate
, ]' l, l* z/ ^$ |) I& L" q如果很強調matching就會用multiplier
finger的好處就如你說的沒錯

至於當LDO的power mos
因為size很大, 反而需要考慮的是device issue
像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~
如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值
; t6 S% \5 s" p+ ]  N- i; J至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
0 l& y& o& g+ F' r另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值
諸如此類~