弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
( L0 m3 }# `, P) v& N3 s' T    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
8 q1 w( }, D7 H, [* R6 Z2 s4 \) [    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
: }7 B& J2 Q, n9 L; x) m    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
$ e: F7 J2 I+ ~0 R' L    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??

      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
/ A8 I& N/ o6 `+ L% c! u$ O      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??

9 R. a8 y& K& A1 ^1 o# t- {- ~      請各位好心人給意見^^謝謝

YuanII

謝謝大大的回覆@@
小弟大概知道意思，
謝謝。

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
所以直由公式直觀的算,
: s4 K% p9 {* ?, c- X% T0 X7 i假設gate driver = 0.2V ..
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
  R. ?8 p  F% O8 |, w; Y" Q/ wo代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
o  X  o  X  o
  ^" g/ J/ z4 E' }( pX  X  o  o  X
2 }9 x4 u1 [7 J) `; Z0 xo  o W o  o
: {- l8 y4 Q4 I+ g: e2 n( I& EX o  o  X  X
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