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[問題求助] TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V LAYOUT 如果要畫電容應該要怎麼畫呢

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1#
發表於 2010-6-29 16:29:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
各位大大您好,小棣想要請問TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V 如果要畫電容應該要怎麼畫呢,因為我打電話過去問CIC的人員,他們要我去上暑期的訓練課程,可是現在我沒有辦法去,因為我快要畢業了,所以想要再這裡請問一些有經驗的大大,請問LAYOUT 電容應該要怎麼畫呢
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7#
發表於 2010-11-6 23:44:58 | 只看該作者
先去cic下載pdk吧~~~
; j5 F6 I7 t0 m, W8 N7 ~6 ~由於我是用laker畫的,所以我以前是先用virtuso去開然後在轉到laker上的...) d- @6 f# Q' e. }3 ?" q) ?3 F
但是聽說pdk也是可以在laker上開啟,可能要在問問其它前輩了吧...
6#
發表於 2010-7-26 12:18:06 | 只看該作者
現在有PDK的功能呀~" i  z- r9 Y/ G: i  Z
你可以去看看你是否有申請~
/ I# a! C. x$ f, `' M這個功能可以讓你畫LAYOUT速度變快很多
5#
發表於 2010-7-12 14:43:32 | 只看該作者
先畫  POLY1     Y um X Y um
6 r3 i5 L6 ]4 q  V4 [2 o7 l, s6 _( w在畫 POLY2      Z um X Zum
2 C7 Z- n6 U6 l; }+ S5 ?2 C  r通常  下層版 較大  RULE 會有
+ k- Y- N5 G7 t! z1 H; g3 \7 J: P做一個 POLY1  CO ME1 的 CELL  連接  POLY1
3 K% F- p% _  E做一個 POLY2 CO ME1 的 CELL  連接  POLY2
  Y7 m& B3 X% J) nX & Y 重疊的地方就是 電容大小
4#
發表於 2010-7-10 14:12:19 | 只看該作者
0.35里最好使用PIP电容,就是由poly1和ploy2构成平板电容,重叠的部分就是电容,非交叠的部分用金属引出即可。
3#
 樓主| 發表於 2010-7-1 15:10:04 | 只看該作者
可是他寫的不詳細,只有說可以用什麼來用,可是我不知道電容詳細的layout過程及步驟應該要怎樣
2#
發表於 2010-6-30 12:48:33 | 只看該作者
TSMC 0.35um  Design Rule里没有写的吗?) Q, i) `+ |- a9 I" l; x
有好多种cap啊6 e0 w. o, ?4 O/ ?- N. y) y
pip 两层poly作两极板7 V' a1 R7 p# T7 @7 y! N
MOS cap  就是PMOS&NMOS管
% Z- E* Z' s7 NMIM cap 就是相邻两层matel 作为两极板
1 m* [; f9 |3 m  y9 b' o* ^Nwell cap  nwell上面加层Pdiff ' j) E+ p% J5 R
等等...
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