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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 請問關於tsmc018製程裡面的pwell
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[問題求助] 請問關於tsmc018製程裡面的pwell

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tshiu
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1#
發表於 2009-10-26 16:11:34 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問通常在什麼情況之下NMOS需要包PWELL
: H0 b! |# E! b5 F8 b, S( I9 CPWELL對阻隔雜訊地效果好嗎
& X% \; N$ P9 a3 \+ |" j(因為之前用35製程只有PMOS包NWELL)
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5#
發表於 2009-11-11 10:14:45 | 只看該作者
看你ㄉ 製程 決定4 d7 d( t6 |9 O+ k4 X
通常 T ㄉ  PWELL 光罩 5 x& @* R+ U6 F% t$ h' Y+ ^
都是 NWELL 的資料  邏輯 運算 出來; `5 y) X6 F5 a  |
所以要看你ㄉ DESIGN　ＲＵＬＥ　
9 X4 N7 i; a, k  }: t. r! v! p& E和　光罩製程資料8 w+ ^- u+ ?! B7 J- n* \. G
　* [$ c' _1 t1 B/ D& O4 k
PWELL對阻隔雜訊地效果好嗎' 還是要看製程
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4#
發表於 2009-10-29 15:01:52 | 只看該作者
通常不只有一組低電位時會用到psub2這層layer，但還是要看ocmmand怎麼決定的…
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3#
發表於 2009-10-27 22:44:59 | 只看該作者
當你sub的電位不一樣時3 ]) `$ k% n* t" g, |
                                                    & h* F. E3 t/ z6 @% J$ j
也可以使用！
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tshiu
2#
 樓主| 發表於 2009-10-26 18:10:57 | 只看該作者
目前知道在18製程裡面使用PWELL會多一道光罩程序
4 R6 k& ~) `  ^( h7 {5 ~6 a可以增加NMOS的參雜濃度
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