transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
5 O# i1 X& h5 E* V內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
- s2 R# {1 P( e7 l( m. x! h/ E3 v跟tri-state(pad接在gate)
; n6 z; p0 d- N. u兩者，哪一個ESD的能力比較強
而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
) t+ z4 J- T! t& W8 D那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao

請問各位前輩~
% f0 F, T$ B* R8 G7 [在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
7 D. W/ \, z* }3 Q# P2 J$ V% J1 G內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
lupiu 發表於 2012-6-21 15:43

% V# Z, }* r, J1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
, A9 p  M: B( e+ @2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927

回復 2# andyjackcao

+ d. p1 ?# G2 {* o' @7 a原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao

回復  andyjackcao

原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
3 t( t: K3 }/ o+ m5 S3 _$ {gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

( H: J  R3 ~/ m2 w5 ?! p  a% F- c; I
3 f$ i* W, j% I5 ?* ?
! ?' r% @' x  L

$ l3 M8 X0 y! ]9 d' q1 j2 u    是这样的；
   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得
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