弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
  D9 z8 ]3 [+ f2 N      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
: _1 N/ ~8 I6 }    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
. m9 v; _. h% J8 d" d    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
1 i5 H9 f  }# z+ T/ e+ I    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??

# V8 T# c" Z+ W$ Y* {+ l5 ~      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
& `3 o4 I0 o) j9 n7 ]* o. f+ |    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
% f9 J. x+ |/ @# o    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
/ r4 v' ?- J: ?) x0 r  {      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??

      請各位好心人給意見^^謝謝

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
, W* i. N8 C0 y4 {% r# B4 So代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
o  X  o  X  o
+ J+ R* I9 \2 uX  X  o  o  X
o  o W o  o
5 K: X5 @& O; `8 Z. e" sX o  o  X  X
- X, [9 d6 ~& To X  o  X  o

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
3 x; L! ?+ P# H& `所以直由公式直觀的算,
假設gate driver = 0.2V ..
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

YuanII

謝謝大大的回覆@@
7 G9 v5 [* P8 s# B小弟大概知道意思，
( z* k6 }9 t- V* W謝謝。