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[問題求助] esd管衬底接触的疑问

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1#
發表於 2009-9-7 13:50:05 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
fab提供的ESD管版图见附件,右图为什么不允许使用?有何道理?

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2#
發表於 2009-9-10 16:14:20 | 只看該作者
这个有点怪!以前见过,但不理解为什么!8 _' E% U1 q8 l9 h" B3 V9 }
几年前还特意采用右边的方式,产品也没有出什么问题!
3#
發表於 2009-9-10 16:16:32 | 只看該作者
还有这个和一般认为的合适的做法(也就是采用右边的)有很大的不同!期待之情朋友解答!
4#
發表於 2009-9-16 16:00:58 | 只看該作者
我感觉这两种方式是在考量sub的寄生电阻,我之前一直选用右边的,效果很好,现在用的一个工艺就是左边的模式,所以应该主要靠量Rsub
5#
發表於 2009-9-16 18:17:19 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

是啊,照理说右边的Rsub小,应该更好啊!
6#
發表於 2009-9-16 18:18:54 | 只看該作者
所以很奇怪,为什么要人为制造出Rsub大的效果呢?
7#
發表於 2009-9-21 15:37:18 | 只看該作者
我想是因為它要確定有大 Rsub,方便這個MOS snap back 從而discharge ESD....  X  j# q0 V7 q& W& J
如果Rsub太少,這個MOS 便需要較大的substrate current 去trigger NPN....有可能NPN都還未turn-on已被ESD打死

評分

參與人數 1感謝 +1 Chipcoin +1 收起 理由
semico_ljj + 1 + 1 谢谢

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8#
發表於 2009-9-24 15:12:36 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

Rsub小不好的,像7#说的一样,Rsub太小需要很大的电流trigger npn,所以这个时候希望Rsub会大些,我用过左边的,也用过右边的,左边的是在sub电阻很低的工艺里面用的,右面的是在sub电阻较大的工艺上用的,我也看到两种结构用在同一个较大的sub电阻工艺上的,一样的没有问题,如果想验证那就只能做实验了

評分

參與人數 1Chipcoin +1 +1 收起 理由
semico_ljj + 1 + 1 说的有点道理!

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9#
發表於 2009-9-25 11:53:06 | 只看該作者

回復 8# 的帖子

说的不错,有些道理
10#
發表於 2009-10-17 10:49:05 | 只看該作者
太好了,学习了!
- M% |" L" L5 ?0 @/ b/ r3 B我之前也一直弄不明白,现在终于知道原因了!谢谢!
11#
發表於 2009-10-30 09:47:05 | 只看該作者

回復 8# 的帖子

同意   是Rsub的问题   0 t( q% B# c% ~- M
同种工艺中左侧Rsub大于右侧     
  I8 y$ D/ f" c! P* f之所以不建议采用右侧结构是因为左侧结构中Rsub的差异会增多寄生结构开启机会$ p% G; p" l) ], C) n( ?
即当寄生npn结构只有一个或少部分开启时  较大的Rsub会使后面的结构也有机会启动3 t% Q0 z0 X& d' r, p7 A) K
不同工艺直接的差异还是有的   比如hhnec的就不允许做右侧结构# K% f" q( f3 d4 w/ D
而tsmc等工艺中就无所谓   两种都很好
12#
發表於 2010-3-30 10:36:59 | 只看該作者
13#
發表於 2010-9-14 12:51:28 | 只看該作者
大家都来说一说。。。
14#
發表於 2010-9-20 22:30:09 | 只看該作者
我想是因為它要確定有大 Rsub,方便這個MOS snap back 從而discharge ESD...." |0 N" L- h9 |/ L$ |1 `( i  n
如果Rsub太少,這個MOS 便需要 ...3 x/ b3 o- I9 X& e: z9 ]1 O1 s" w
ritafung 發表於 2009-9-21 03:37 PM

6 s) U. e/ j0 G/ l( p0 `
; o+ c9 ]. H  h0 r比较赞同该说法,右边的Rsub会很小,雪崩击穿后需要很大的电流才能让npn的base级开启,如果Rsub大的话很小的电流即可开启npn,右边匹配没有左边的好,同样多的finger右边会比左边长很多,
1 g5 m# C3 m* C7 J& o+ h! O有可能由于匹配不好,有的finger已经进去snapback了,有的finger还没有开启,导致局部电流过大将IC烧毁,不过如果用左边的方式,最好还是要有ESD implant,这样才能更好的保证finger同时导通,$ e+ V5 |  K8 ~9 x6 t5 }9 r
要不然也是有局部导通烧毁IC的可能性.
15#
發表於 2010-9-24 23:09:30 | 只看該作者
我個人的認知是layout matching的因素
: Q# D+ b6 i: D& t8 M0 q# m因為ESD device是要charge/discharge掉大電流,若採用右側的layout方式,各個finger的turn on時間無法同時啓動,這樣子會讓ESD device容易局限在某幾個finger,如此一來容易造成局部ESD device被damage的可能性大增
; j4 ~- ]' m  @( G' T* f若是採用左側的layout方式,則可大大降低局部導通的issue
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