用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
! C7 Y8 @2 X8 w0 i7 A( Y6 y, E因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
1 D. r/ E# |$ A) z' M
感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
; n  S1 V% M# Yoxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
+ Q( a4 {2 p$ J' M6 P3 B可用軟體模擬出C-V曲線,
) ]8 ~+ v6 a- o% _0 C0 cBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
, Z: H1 ?! `5 X1 y也就是長在NWELL裡的NMOS,
% Z0 G) j% G9 D' i8 Tspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
; C6 U4 D  C# |% D5 t. H* T2 J使用這種元件並不需要多加光罩,
/ M% X5 }/ z% x: o  y2 h建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
2 y; j6 V0 d! p- P8 S
& W( {" `8 ^0 ~6 E. A哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
9 t2 H. g; z, M$ q: o  M.print CGG=LX18(mn1)
" a4 F0 @7 A8 S% p3 e8 j.dc vin 0 5 0.1
- J" G% l# f2 \) h$ s....
* l3 z, Z# n( c4 s* i) |" s9 B.....
% Y& u4 j+ }/ K3 r  D. \.......
7 `+ [: Z! ^! u# [6 M# q0 @( c.end
3 q- w) A6 ~1 y$ e, \; E7 z- K; o然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
& H; O9 x$ l3 a3 D如有錯誤，請大大們指教~~~

對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
; }  a0 H6 n) C7 G而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值