bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
. S  t9 X- V  M- p6 y# M) {3 {# \2 W.35製程
5 o3 h: F7 }6 o$ wop db65
不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
不知是OP還是帶差出了問題??
6 ~8 }) s$ I4 ]  O6 j2 M請各位大大幫忙
. _3 `0 `. q3 j

以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
; w% L/ @  q% L關於CMOS的正負Tc
  `3 `+ h0 ]* i' l3 _如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
* G  S/ M$ N2 c4 Y& c& h請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作



7 {7 B4 t1 b. c- e# _: C[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
似乎提共正溫度參數電阻不夠
, W$ \( h  n; @. ^至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的
; S4 O9 X9 E' k0 k6 W
$ ]) ]6 x; B  _8 C5 ~! E如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)

layoutarthur824

回復gimayon大大
# a, G) z2 b! s我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
OP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
; N; ?+ O, ]+ L7 E$ |- j0 j" o這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
  `4 T$ B& \% G$ y& S我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25
  e9 K9 q) o6 c6 }( n; G
: f* T2 {# I7 M0 c: J你還是秀圖吧~~

mos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

TWO STAGE OP:
5 ?9 U, z/ Y% P8 K+ m0 V0 u3 n+ C
5 x  T: J) ^" S" a3 I帶差:

% d0 c6 o( x  F: l* u大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)
' f" B4 B: k/ M+ M2 W* C9 _
: Q8 m2 C' s& p5 B( K但是我的OP增益卻下降到很低
壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
$ E1 x9 g4 T) U! b, s  I請問大大:
1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
; ?0 D4 a& _- K2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
/ @' T- T5 @  W' s0 e8 Q現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教
7 A% {. F) W3 f& [3 `: D0 f  X
[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

你這是什麼鬼電路?
: }, f2 S2 l& W2 ?6 s( z; _
6 P; G- ]; U; J* i下圖左半部是幹啥用的? start-up?
! I) @" G; |( Y! l; x6 Z
' V1 u: h4 ?7 r' Z9 {# Q" v如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?
( ]2 n9 @/ v. {) w2 B. Q, R; E
* S' d, b* ]: W: }* y) n( i+ h如果不是...還請指教是幹啥的...
/ g. L3 i; W# ?0 E5 ?9 u/ R" m+ V
你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
0 N7 e" i* ?1 \2 B+ M2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
& I# V/ d7 N( h3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
* h  P! `/ v9 ?) Z( q4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
+ b+ P; m6 A$ n5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

layoutarthur824

回gimayon大大
下圖左半部是 start-up
正常工作時可以使我的MS3在截止
, D1 `( K$ i. {1 @請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
& s2 k6 O: x* F; O! Z! K(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
因為不少人也是用這種電路當bias的

$ j' L( j! Z4 ^4 X2 \) A( }' B8 z回finster大大
2 n! [9 s- ?- {  l7 ]  S: c. W我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
  V7 T4 c( R5 g4 Q) V' C0 m6 ~以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)

我的bjt顆數比為8:1
) r1 P+ m% ~7 E3 m9 g我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u
# b' H& E( l( k2 l
- {" O" J: y. d[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?

根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻

此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定
! V/ T. p+ ]7 F+ m8 O' [5 b
9 p4 a$ T8 C+ M& S& ~所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP

因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差
  ^) m; ], G5 O% y
' y) a. h, E' o加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG
' e2 p, L0 D& o+ K3 F0 k! E
也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端
& g- @$ m- r, ?1 K4 M9 q/ s( A
% H6 N) B7 ^! `- k# o- iBIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫

建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     

.PROBE I(M*)

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
) X3 S9 i0 v" k/ U9 M: S! H2 q最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
  w$ C: Q+ i! e0 |6 e我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩
* }, z9 b; i3 c& o3 ^