SCR of ESD Protection in Submicron CMOS Technology

semico_ljj

Lateral SCR Devices with Low-Voltage
High-Current Triggering Characteristics for Output
- t$ o; ^5 j: N6 LESD Protection in Submicron CMOS Technology
! X5 D, ~* M) O: J* D2 u+ k
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 45, NO. 4, APRIL 1998
: Q$ o& B: a6 {  [3 y8 v& x

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semico_ljj

有实际的流片过且测试过SCR 的ESD效果的吗？据说（非本人经历）0。35一下工艺可以达到6KV（HBM）！

semico_ljj

SCR确实很省面积，但是由于出发机理类似Latch－Up，所以实际应用时要注意防止触发"Latch-Up",这是一大难点！

semico_ljj

我不是很了解，好像大型的Foundry厂（TSMC、UMC、SMIC、UMIC等），都没提供采用SCR保护的I/O！可能SCR技术不成熟，或者有风险！大家的意见如何呢？盼望一起讨论一下

andyjackcao

看看                                                               
多谢

semiartist

我的片子剛剛回來，測試了好多次，有一次芯片坏了，不只是ESD還是LATCH-UP，很是鬱悶啊！  

多謝您分享這篇文章！

jstsai

thanks for your data ..............

kosa1234

不錯的參考資料, 謝謝分享!
- U& u8 G3 [' y6 C( Q3 \* w8 s剛好需要, 謝謝分享!

Chandler_Tseng

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! R, v4 A, j8 `0 M2 K( t6 l

2 G3 N8 n: y8 I6 C* o# ]; bThanks.

rainning

不錯的參考資料, 謝謝分享!  
, P+ f* z. E) N* I7 ~
謝謝

kie01tw

謝謝分享
7 S. C& f3 q  d0 S; y- n* [/ J! X6 B
剛好有需要
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szona44250

受益'良多

謝謝大大的分享!!!!