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[問題求助] HSPICE输出lis文件求教

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1#
發表於 2011-4-20 14:21:11 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
大家好,
5 D* x/ u( K0 a* J想请教一下,在HSPICE软件输出的lis文件中,关于MOS的工作状态参数vdsat与vod是什么意思,两者有什么区别?谢谢!
+ x0 x' T: t% z, ^- ?& K9 V+ n# O& o( v; T5 ^
举例:以下为一个简单电路的SPICE仿真输出
1 }6 E7 W+ e* I
- C& J! k! y1 j; J subckt                                                              & T& S* {+ h4 z8 D/ {6 o2 _3 X
element   0:mnm0      0:mnm1      0:mnm23     0:mnm34     0:mnm21   
: }7 U' O: r7 T! x+ s model     0:n12       0:n12       0:n12       0:n12       0:n12     9 h4 e# |- }. I2 ?4 N+ f
region        Linear    Saturati      Linear    Saturati      Linear. _- \! y% O6 A2 P6 u8 ?
  id         50.0000u    50.0000u    75.8903u    75.8903u    75.8903u
; M9 n3 d, f8 Q6 L! w  ibs        -1.7298a  -617.8295a    -1.0610f  -520.0285a    -2.6278a, G4 ]) Z- n7 d  y. ~1 F; _' t
  ibd      -220.5844a    -1.3606f    -3.5067f  -878.8862a  -378.2504a
3 t4 L' z1 Y- f5 y  vgs         1.2000    499.6118m   508.0410m   545.4162m     1.2000 + ^4 C# r" J7 w+ h, g. Z* R3 T
  vds        16.7670m   499.6118m    46.2461m   630.9828m     8.3378m
( ]. E1 a4 B, y( c  n6 t' t: Y  vbs         0.        -16.7670m    -8.3378m   -54.5838m     0.     + v: M! q1 }5 y5 n6 P8 v0 u9 O8 m. Y! f
  vth       453.4941m   363.4938m   361.5682m   399.4941m   453.7360m& y; e+ C% u% ]4 |* t4 {
  vdsat     340.3907m   147.0403m   153.8298m   173.5895m   340.3681m( z& ]1 k0 c  X1 V, v
  vod       746.5059m   136.1180m   146.4728m   145.9220m   746.2640m
8 B; H" w6 z9 z1 V8 a% u! K
  beta        4.8833m     4.5744m    13.7312m     4.7731m    14.6481m
% [" _7 d+ Q' r# x8 u2 L! c  gam eff   474.4148m   483.0213m   482.9758m   480.2178m   474.4145m
, k2 P& l0 k, y; o  gm         44.1180u   558.2616u   557.4533u   666.0663u    65.9494u
1 |/ m4 c1 C& X, k; }1 k6 k  gds         2.9133m     5.3509u     1.3369m    32.8252u     9.0528m3 u  U: K5 I# K4 N; U3 ]
  gmb        12.3124u   129.7980u   129.9790u   128.3843u    18.5011u1 m6 k# E0 i7 z. r
  cdtot       4.0640f     5.0505f    60.3849f     1.4360f    12.2802f/ v$ q$ I; b$ e4 I4 k
  cgtot       2.4614f    17.3256f    60.3933f     2.0792f     7.3861f
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/ }# u$ }3 G+ W  f; r  cgs         1.3200f    15.2678f    39.5300f     1.4702f     3.9404f6 d- U4 {- M) o% H+ r3 ]; w
  cgd         1.1677f     1.5240f    21.2262f   470.5603a     3.5258f
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2#
發表於 2011-4-21 10:19:42 | 只看該作者
Vdsat: mos操作在飽和區的最小Vds2 I3 D6 u8 M& i* c, H# D1 ^' ?# v6 R
Vod: Vgs-Vth就是Vgs超過Vth多少
3#
 樓主| 發表於 2011-4-21 11:30:49 | 只看該作者
謝謝rice019的回答!基本理解了vdsat與vod的區別!在低級MOS模型下面,幾乎可以認為兩者是一樣的,可以這樣理解吧?7 X" X, E) \& i  n. \/ U
還有,導致兩者不同的原因是不是由於MOS器件的短溝道,窄溝道等等效應?
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