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[問題求助] TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V LAYOUT 如果要畫電容應該要怎麼畫呢

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1#
發表於 2010-6-29 16:29:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大您好,小棣想要請問TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V 如果要畫電容應該要怎麼畫呢,因為我打電話過去問CIC的人員,他們要我去上暑期的訓練課程,可是現在我沒有辦法去,因為我快要畢業了,所以想要再這裡請問一些有經驗的大大,請問LAYOUT 電容應該要怎麼畫呢
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2#
發表於 2010-6-30 12:48:33 | 只看該作者
TSMC 0.35um  Design Rule里没有写的吗?
+ u8 }. ^! a: A) G& ]9 Y/ l: {有好多种cap啊
; T6 h- u8 g. o+ j" S% kpip 两层poly作两极板
/ e& {# s8 k- N" r- hMOS cap  就是PMOS&NMOS管
& s6 Q( ~: d5 y' |MIM cap 就是相邻两层matel 作为两极板( D9 E2 k4 b/ x# T/ N. r/ Y$ A! ^
Nwell cap  nwell上面加层Pdiff ' }3 E% ^: C7 g; g
等等...
3#
 樓主| 發表於 2010-7-1 15:10:04 | 只看該作者
可是他寫的不詳細,只有說可以用什麼來用,可是我不知道電容詳細的layout過程及步驟應該要怎樣
4#
發表於 2010-7-10 14:12:19 | 只看該作者
0.35里最好使用PIP电容,就是由poly1和ploy2构成平板电容,重叠的部分就是电容,非交叠的部分用金属引出即可。
5#
發表於 2010-7-12 14:43:32 | 只看該作者
先畫  POLY1     Y um X Y um
! F4 l1 B7 b( _" {在畫 POLY2      Z um X Zum   q' n+ U! V. J. g, O
通常  下層版 較大  RULE 會有- K( e( H1 J8 [3 J! V: U
做一個 POLY1  CO ME1 的 CELL  連接  POLY14 d* w% N# P, z) W% h' Q1 o
做一個 POLY2 CO ME1 的 CELL  連接  POLY2
  K1 t! G, G! y& g5 [( MX & Y 重疊的地方就是 電容大小
6#
發表於 2010-7-26 12:18:06 | 只看該作者
現在有PDK的功能呀~1 V1 v$ X( k5 z9 K' d2 P6 [+ S
你可以去看看你是否有申請~
" ?! d! A3 z) |7 L, T& Z2 M這個功能可以讓你畫LAYOUT速度變快很多
7#
發表於 2010-11-6 23:44:58 | 只看該作者
先去cic下載pdk吧~~~
+ Y) k- H% N0 N, M5 N, R9 t' z; z* J由於我是用laker畫的,所以我以前是先用virtuso去開然後在轉到laker上的...
: w. _5 o' K! ~- \但是聽說pdk也是可以在laker上開啟,可能要在問問其它前輩了吧...
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