MOS的finger和mutiplier

billcheng

請問各位老大
4 _" m* D5 o& a) R! [& l5 r
若應用在LDO的powerMOS
  H+ g- Z0 l- t; U9 T
使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積，寄生電容較小)
& V5 I! Q+ J9 N/ F+ a; z
8 `2 B3 J5 [- |: x  c例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況

若用finger，那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??
: C& f; g  g4 d; A. h& J; w; D1 _( [
+ G/ I& L: ^! l/ c/ N1 D8 O+ R8 P例如L不能用太小，W不能用超大 ??
7 N2 @+ G3 d( Z! D
7 ^' K! A. j, F謝謝大家

jackrabbit

finger 跟 multiplier 的差別
6 J* o! {" I- [前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate
如果很強調matching就會用multiplier
finger的好處就如你說的沒錯
. ]9 F# m; W+ L& \. K( _( g
至於當LDO的power mos
因為size很大, 反而需要考慮的是device issue
像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~
# b) _+ ~5 A" I3 U+ H9 K; }如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值
至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
6 x4 x( C  {; f8 J- z1 ]* U9 V另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值
3 o! q4 k; Z: Y9 q" v諸如此類~

finster

補充一些:
一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等
至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up

empatheia

回復 3# finster
/ ^( M' b/ s! ~& w1 W! x  b" e. i
' Z/ P! L+ {# H! q$ F( A6 R! X真精闢，謝謝版主的見解與分享

ninja0925

說得很詳細的一篇
' H8 L" ?9 A5 H# w
2 I" w1 O, c& L謝謝分享

e100292002

感謝版主的回覆仔細 收穫頗多