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這個問題在 LED driver 會常常遇到
4 w0 C. H, c8 j9 n
8 b7 |& ]; N! `7 A8 S首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制4 a, C- o8 r" t0 f6 K0 g
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知
$ i+ ^+ A$ j6 h. m) J6 v主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]
8 Z+ I" ^ E& c, u+ r" Z鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制; `) a9 B. w7 B
另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力
4 C! e- U& g; ?/ Y6 N+ a' `" q並減短設定時間
7 ?' e3 j/ P, I# b: @
4 Q$ d c O, bchannel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error) D3 M# a3 f0 m7 }
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題 }" w0 M& n4 Q, ~7 o9 Q6 `
1 Y5 v$ m. c. e- T% s, h V1 f至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,' `5 l/ C+ \" ?) M
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
) D, B+ r6 n% o9 Z8 B3 e6 i9 b4 A; l* P
溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T), ^8 e( c3 o+ f& q
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小
: h- @' E3 Y2 w( F& Z* }然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,) Z+ b% [5 |8 x ?) k; N+ \
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,
6 M0 Z8 v0 |; H! Z3 c1 APtotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)9 d% y( L7 \2 S# |
選用的 theta(j-a) 必須確保在0 d, u: B9 |- m4 v7 h* M
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
5 t" i) c7 L. V6 T7 w K; C選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal |
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