MOS的finger和mutiplier

billcheng

請問各位老大

1 F0 i9 I7 l6 z$ P8 s- A! \9 L若應用在LDO的powerMOS

( Y" _6 U/ w' r/ n) k0 r$ b# k7 s使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積，寄生電容較小)
$ ~5 Z3 t* Q9 _3 z0 z# v$ x
例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況
& T, y# V/ ~! N2 O* c, H4 Y8 C
5 \& x5 I7 s  J- e' U若用finger，那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??
, u7 K5 d/ n0 j' k4 U
, }7 e- [& R6 k. ]例如L不能用太小，W不能用超大 ??

6 e0 L( ~3 _* p+ C3 s: h! ^  M謝謝大家

jackrabbit

finger 跟 multiplier 的差別
前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate
3 l! o; r% S% A1 O' r2 R' R. C) X如果很強調matching就會用multiplier
# Q; [' W7 J% R1 L& E9 g8 }finger的好處就如你說的沒錯
/ Q. i+ I8 s: L$ g$ g& A7 ~
5 E" w( H2 R5 Q& e  v# H" \至於當LDO的power mos
9 n+ {' G6 m, u因為size很大, 反而需要考慮的是device issue
像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~
) _! E3 Z4 ?: \' \如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值
至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值
諸如此類~

finster

補充一些:
一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
2 j0 ~# `' s& J8 D而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等
至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
: i, z  R6 G2 i4 P且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up

empatheia

回復 3# finster

. r. d: b/ T  t真精闢，謝謝版主的見解與分享

ninja0925

說得很詳細的一篇

謝謝分享

e100292002

感謝版主的回覆仔細 收穫頗多