transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
8 W2 ~1 C2 }2 L3 m5 u) G內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
跟tri-state(pad接在gate)
兩者，哪一個ESD的能力比較強
而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao

請問各位前輩~
( M% N) w/ q4 e3 t在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
lupiu 發表於 2012-6-21 15:43

9 q+ Y; d2 }- ]2 n0 z1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
- I+ l) M/ v# ~7 f8 a' G* r2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927

回復 2# andyjackcao
0 h+ d# \$ t, q0 l
6 {. A0 M2 u4 Q# R0 N' W* x原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao

回復  andyjackcao
3 A/ n) j* H  t0 u
原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
$ ^' c$ I- m+ M% s; N( pgaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

$ @- l0 [6 G1 y* _

' m3 P9 K9 {" G5 z
    是这样的；
* C( P$ T: ?3 E- F8 l  B   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得