BJT 架構的 Bandgap，最低電流消耗可壓到多少？

shaq

Dear all,

我想作一個 BJT 架構的 Bandgap，不知道哪種架構可將電流消耗壓到 1uA @ VDD=3.0V 以下？
* `" M' {; S5 O9 M
* m2 b$ A/ I7 y2 ]: ^4 `6 h! u0 UVref 不一定要小於 1.25.  VDD最低工作電壓在 2V

1 k8 A0 @; B* H" [PSRR 暫不要求。

有人可指點一二嗎？

[ 本帖最後由 shaq 於 2009-4-9 05:38 PM 編輯 ]

donlion

subthreshold还行，bjt够戗。。。。。。。。。。。。。。。。

yalon

用一般的架構都可以ㄚ....
6 c" l4 j! a( \2 b4 z& Nop type or current-mirro type. 1u ok ㄚ~~小弟有試過ㄛ.
1 u/ i5 V& B+ P" \* T& [
# J" n& E( H2 D& k+ l1 r3 W只是 silicon 上 跟 hspice simulation 會有比一般 20ua, 電路有較大的誤差.

; W/ v7 \* Q5 I: x+ }建議你花多一點時間在 post-sim 跟  device size match , optimization 上.
6 z* ~# u* O( T0 i2 g因為低電流, 相對"抗噪性" 便會變差.

例如: hspice 告訴你 vbg 1mv/ppm.
" C$ I% \% R; c% J9 ]但wafer 會給你 30mv/ppm. ------ 別意外ㄛ.
( O  r* c5 S; t7 E0 N6 n
; a: m; q" P. ?共勉.  
解釋如有不當  願請賜教   感恩ㄛ

Mr_Adams

1u 的話，bjt會不會 beta roll off了。。。

finster

我是沒有設計過那麼低的
不過,我同事倒是有試過,基本上如yalon會員所述,採用那一種架構其實都可以作到低於1uA的規格
只不過,面積會比平常的大很多,所採用的size也都會是long channel的形式
7 I( V( F6 C. _, J( ]; U" \' X尤其是電阻部份,會比平常的大至2~6倍左右不等
! q7 P7 n) e- m- P因為想壓低電流消耗,必需把各個分支電流給降到最小,故而電阻的阻值也就必需相對增大不少,故而面積部份會相對變大很多
這是相對所必需付出的代價
另外,若採用op架構形式的bandgap reference circuit,其op的頻率響應速度也會因為要壓低電流消耗而必需降到很慢,這是相對的限制,故而在設計時需留意此一缺點(條件限制)

122013137

bjt會不會 beta roll off了，，，，，，，，，，，，，

hi.china59

Please visit the following website, for more detailed information
6 r. L6 O, Y8 j- A7 zhttp://www.eetop.cn/bbs/thread-189570-1-1.html

semico_ljj

2uA可以实现！

semico_ljj

1uA   bjt的beda会不太准

yuyingdugu

2uA可以实现！
& ]3 q: y+ w! z; zsemico_ljj 發表於 2009-10-4 10:47 AM

0 n' e% h  `& q5 F% {9 G  y- c7 W
0 L" `( b) Q% n- W& v' I# Z7 q) a  H    2uA，电阻要做到很大，不知道工业上能否使用？

semico_ljj

不知道为什么要这么小，电阻很难做的啊面积太大了！5uA～8uA还是比较常见靠谱的！