bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
* B9 _6 e2 Z& w  Q: y7 e' x% w可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
.35製程
$ |8 h' ?  I  n; y9 t% x* t$ D' Eop db65
0 D: ^/ Z7 S" m7 M* V2 l( F5 C不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
# O& Y  y% ~' b7 h: x, t3 d不知是OP還是帶差出了問題??
請各位大大幫忙
# }! N3 }, J  [* j. R( O/ C
+ u  x+ F4 B; ^! ?: ]5 x8 f
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
關於CMOS的正負Tc
4 ~: J% U/ m- S# q. _如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
$ d3 W& G" s* J1 ^7 j- C請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
2 ]# E3 p9 |- W5 [BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作

" A1 H0 L0 E, s; D* d

[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
似乎提共正溫度參數電阻不夠
" o2 R2 W$ ^" z5 Z3 M/ S" W& Q至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的
% @# L4 x& q  K) p7 P6 Q
如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)

layoutarthur824

回復gimayon大大
  j  f8 _2 H4 ~8 L2 S8 Z我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
OP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
3 v& Y: q8 U  u. g& v這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25
& f/ A3 y5 u* j: K" U
" k9 e. Q( q6 z/ O* M* S你還是秀圖吧~~

mos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

TWO STAGE OP:
7 \) y; O9 L6 B
帶差:

: O; d* [9 s6 J大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)
" K+ m* G, @3 a) _7 l' r  M9 a
7 R  b) {/ X) ]3 ?* x( \但是我的OP增益卻下降到很低
$ h8 W  ~! `+ g$ o  x, k; C- V/ C壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
' p- t0 V5 u; E) O( |# g請問大大:
1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
! u) P$ s9 S, k現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教
& m6 _: @8 a  G2 M% S
[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

你這是什麼鬼電路?

下圖左半部是幹啥用的? start-up?
1 X8 s$ w/ ]4 ]& c. K) i2 `3 H
如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?

如果不是...還請指教是幹啥的...

3 Y) w2 ^, h% j  m, e你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
  v& d7 T) R) V. z! ?2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
4 A) D* \' U9 G  N9 l) D4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
: ]7 p- X) h3 O+ U+ c! {, z3 i4 g5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

layoutarthur824

回gimayon大大
下圖左半部是 start-up
正常工作時可以使我的MS3在截止
請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
2 O: D, S; }3 N主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
因為不少人也是用這種電路當bias的
6 N' {& E6 J$ O1 i" q7 n! {
回finster大大
我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)
3 q+ c8 e+ W$ |5 G1 B
我的bjt顆數比為8:1
, S2 n& v! `/ B7 z) B我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u
0 Q# U1 L1 e( q* b. X
[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?

' r$ ~2 g( O5 Q$ {根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻

* i' ~/ k* G$ \" Y此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定

所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP

. p: G% e, G9 o! {( T因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差
, A6 S2 C% @3 F8 L2 n) ^$ X' M0 q
加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG
* p: W% s& M- N9 A% g
也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端

3 Y% V/ x; G) ~. @( ]1 a4 ~! BBIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫
: \- g" [* x' F
% K3 S! x' j/ U4 [建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     
) f- n0 [* O% I/ O' a7 b
.PROBE I(M*)

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩