bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
3 i+ W: ?! u0 Z# ]8 g/ o  P9 A3 r可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
. g2 Z1 Q1 {  v" F8 g, A. I.35製程
op db65
不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
: ~  `/ T. K; [不知是OP還是帶差出了問題??
請各位大大幫忙


以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
' a# `# \2 L1 `# hbandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
' p; e; l5 x8 M& m) S關於CMOS的正負Tc
' e3 E4 b; X) ~5 b5 s5 F如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
' w. x/ b! I( ~. g6 ~) Hbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
# Y5 B, l6 C9 GBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作



( B; @' X3 ?# L8 H* q7 {/ [[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
似乎提共正溫度參數電阻不夠
至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的

, \/ _$ l" F% K0 ^如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)

layoutarthur824

回復gimayon大大
3 @. h+ |* ~4 E  A3 }$ K: h我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
5 g4 A; L3 n- h0 w& h0 F, P5 P9 SOP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
6 W, s7 {' d: d6 Q* c9 N這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25

5 O, C4 P" y5 i1 X* k2 l你還是秀圖吧~~

mos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

TWO STAGE OP:

( s5 ~. X& I# s' B+ l1 q# O帶差:

大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)

但是我的OP增益卻下降到很低
壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
- M0 n, O" e) r& W請問大大:
3 q; l; Y' j( ]" D: M8 `1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
! [! l! w- K0 b) K) a4 u8 r3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
7 G9 w+ b, k& v! J現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教
+ [8 T+ H$ t5 {4 y6 {4 {
[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

你這是什麼鬼電路?

  E$ T! x+ f* w( K" `1 C/ ?( f9 Y& A下圖左半部是幹啥用的? start-up?

6 ~. g$ t" O8 }% o如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?
2 @* E1 d$ O- h+ w0 \
! j3 P( \; C% p4 }( f" y1 M0 l! f如果不是...還請指教是幹啥的...
7 k. m% S8 C0 W* x" |7 p& A7 B; i
你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
  g* u* ~8 q6 T* \+ o" Q0 a. e3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
4 q; _1 Z4 t2 B6 s0 a. d, R# i4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
; P- O' m  ~2 t$ R, n5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

layoutarthur824

回gimayon大大
8 J/ ]5 L' P# }+ L下圖左半部是 start-up
正常工作時可以使我的MS3在截止
請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
1 u# l4 M) `( @/ J! p' n(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
# G: a" m1 D6 H主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
因為不少人也是用這種電路當bias的
' t# ]5 q) z4 g4 c6 z4 E$ l
0 p, G" n, ~  u! ^+ j回finster大大
我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
( I  D+ L" W* K2 @以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)

我的bjt顆數比為8:1
我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
( N4 d4 n& }7 n我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u

, S# C; U: y9 O: i$ _8 G! D5 E[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?

根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻
4 I2 b  w% i. {9 \6 i4 I
- D9 T5 ]8 S" W5 u$ ]此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定
  J1 K# q) U/ f' ?
所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP
  [0 W9 Z  [$ }; B9 N: C8 d$ f# u- B
因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差

, h! Z/ G* P; z% o% _加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG

也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端

BIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫
( S0 s1 y: D: f, _1 w
建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     

. Y) ~- j2 u5 J* l5 i8 ~.PROBE I(M*)

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
7 U( M" L' v. j" z: Z, C我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩