bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
9 _" x2 d; k9 M; [. S3 X' I可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
, @  ~7 e/ C2 F& ?  @.35製程
! k- R4 W# }- m1 i+ [op db65
; P. s/ [8 W. N: F; F' n. v不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
不知是OP還是帶差出了問題??
請各位大大幫忙
1 q7 `8 d' r% @) _

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3 \! U/ d  C  o* C0 n請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
3 k' p% y7 \0 q9 C: h5 ^! x0 _BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
1 z8 {! R0 z& Z+ x7 E
" V7 r- n; P# s( ]" ]' A$ r7 ?' T5 d0 K
0 z0 U0 M' Z  i
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
0 i4 C( m: U, {; Y. v/ H  _+ `- l2 Q似乎提共正溫度參數電阻不夠
! ]+ V. e+ |" s& e; C: \至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的
5 ^/ h. s$ T2 t4 n- k
7 S. _3 W/ n, x- {! y如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)

layoutarthur824

回復gimayon大大
7 W7 @2 Z+ j1 P我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
OP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
, s/ E( Y3 P) l- c+ C* P( _5 Z. z我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25
" S& U$ a2 l7 I: K: _9 c
0 ?/ o( Y; g9 E9 I9 Z你還是秀圖吧~~

! d5 Q% _3 o" A: V' B* f9 Smos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

TWO STAGE OP:

3 j# m4 _6 {' {# j; h; Q帶差:
- N( j+ r, R2 U1 S$ X( x1 \
) j" C4 Q& a) Y2 U7 N大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)
2 O1 q0 ~: \! u4 f# v; f! d
) I4 |% |& z% R5 e% Y$ }0 |但是我的OP增益卻下降到很低
. u2 h* U$ m) y; G* @; w壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
9 q3 [9 ]) d0 i. f" H請問大大:
/ a! t: T5 d2 T6 p1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教
6 V8 @( y+ ~, {' U9 f
, w  h( [" |+ A2 E5 X; Q[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

你這是什麼鬼電路?

下圖左半部是幹啥用的? start-up?
' x( `5 D2 T: J. [) K
如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?

如果不是...還請指教是幹啥的...
4 ]2 F& O% _3 F" J* n4 I
你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
+ Z/ n, O) \! |0 h2 Z& o4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
6 |! N8 z; f+ b/ ]" I5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

layoutarthur824

回gimayon大大
下圖左半部是 start-up
正常工作時可以使我的MS3在截止
請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
) z, g- J$ s/ z' ]主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
因為不少人也是用這種電路當bias的

2 m  `2 Z* @8 i; }8 N( v回finster大大
我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)
- P6 E" O, z; ~5 ?" L
我的bjt顆數比為8:1
6 t9 l7 T8 G6 q' e: F* H5 A1 p我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u

3 T& S; Q) J9 G  z% A) V& b[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?
# d% H' w  s5 E2 z( S2 p
( u- e5 G, M9 D6 u根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻

6 n  X, z) }+ x% n2 h- ~; B- i此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定

所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP
0 K. X3 ^( Z) ]
# i0 @! |8 Z9 P5 a因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差

加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG
! z- L% O$ U$ }5 b3 z' t
也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端
, V- I$ t) b1 Y$ _- o) E4 z
% G7 I9 R6 i! Y* l% P* ZBIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫
) f+ }# f+ {+ R% Z. w% l  M7 U2 l
建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     
4 c2 i, N* f) q4 F4 k+ U1 [
.PROBE I(M*)

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
/ N+ A: B: C# x2 {我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩
& ^& |8 \" s" b) x# l1 z8 e' q( g