bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
.35製程
op db65
8 a! x' i- X1 I# N1 U( Q1 s不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
不知是OP還是帶差出了問題??
2 ^$ v# h9 i& f9 _, D; s' h, J請各位大大幫忙
) x( C# o, I& S) ^- H
0 r/ |" q% O# c' ^
* j1 A' O2 P* q+ o' H以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
+ `- @$ }7 e7 |" }$ Z8 [bandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
關於CMOS的正負Tc
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
8 t8 a' S) @. z9 ^3 v請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
9 S% Q0 J! m% u4 O; h/ ^bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作

# Z% x& j' U) ]8 j" p
+ y* e4 Z, a$ s2 R0 _
" j/ E: ~' F' }* g% }[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
似乎提共正溫度參數電阻不夠
1 O8 n* Y0 J2 x/ i! z; `' y" j至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的

( `# a; a. M) @. N) d5 E1 c% Y如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)

layoutarthur824

回復gimayon大大
$ s4 z& A  o) X5 X2 y% y7 A% l我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
OP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
: ^  c0 Y  ]  ?2 {% }' p8 k- X: N這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
( }$ z6 c0 m# Y5 m! @! r9 t我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25
# \8 E8 u9 ]3 W$ o  K& v9 N
你還是秀圖吧~~
1 X$ d9 s3 K4 k+ q- h7 C% e! g
, {; ]8 R" D- Q' Bmos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

TWO STAGE OP:

帶差:

大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)

+ `7 R' ?, B7 C# m$ D但是我的OP增益卻下降到很低
9 I8 B* ~. B! w; r, N壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
請問大大:
$ `. c- M$ H# f1 j! \1 V8 N, ?* _3 m1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
+ y9 i% _: G1 B. a& G% m( T$ ~2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教
3 Z0 A4 Y8 N9 n& [. P) N# K# `
[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

你這是什麼鬼電路?
7 E! H3 X8 l( \8 Q
/ D* a, A$ K: d" d& \' w  `下圖左半部是幹啥用的? start-up?
  S, o  ]/ F0 `+ ^: |5 a$ s
如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?
5 k" z0 p4 q9 p; {! ?; X. }
) E/ a0 R7 N- I6 C如果不是...還請指教是幹啥的...

你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
$ H8 L; z  ^1 t4 s5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

layoutarthur824

回gimayon大大
下圖左半部是 start-up
) O$ O' o" [9 ], S0 v& A' ?正常工作時可以使我的MS3在截止
% X% e) H0 R5 s! K+ }請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
" q! M& ^: b. d5 d$ V, [4 ?6 d主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
* s& p/ q4 N- \% ?/ Y# N因為不少人也是用這種電路當bias的

1 B8 h6 W, I9 K3 k' U回finster大大
# L* @5 d1 ]' b: I4 v我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
( U& H, t  W4 K! ~& E以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)

我的bjt顆數比為8:1
5 e5 C+ o- k5 G我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
4 P( m% N) I5 A! y) U3 i* R我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u

[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?

根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻

3 t/ N$ s/ c7 g, @! d# V此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定

3 n! r) V* N2 [* u% R0 y/ D所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP
& O6 T8 h5 B! Q) c/ ^
因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差

' _. x' b. n2 j加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG

也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端
0 z+ z. w0 a2 I9 j. s0 c
BIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫
5 S7 n7 n! W5 A; f- Q
$ Q# R- v! l0 f4 b# u6 H建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     

.PROBE I(M*)

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
; j4 v1 \& Q  R" U我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩