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[問題求助] 如何實現layout

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1#
發表於 2008-10-24 11:35:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問一下在.35um的p-sub製程中,如何將nmos的body和source接一起,而不接地?
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2#
發表於 2008-10-24 11:51:39 | 只看該作者
沒辦法吧
9 m; |8 @1 X, e$ m' k
. a7 \8 l6 ?4 X不是違法電性/ A- Y9 O6 p$ X5 T% H5 B

( Z4 z5 I0 m: V" q我是這麼認為啦
& ?; R; ?' }0 d* t
$ |2 B. g; b& L- H7 X6 I2 R可能有錯誤=.=+
3#
發表於 2008-10-24 12:32:42 | 只看該作者
Dear deg326 :
: [" x" X4 n7 u+ u. b) [1 } 你要把 nmos 的 pwell 跟 P-sub 隔開,
" {! }0 a  C- T5 Q& [) R2 `: C( ~ Process 上你就須要有 Deep-nwell 這一道製程 (dnwell).
. }( b2 `- o, R+ [/ U" ^/ w) @3 z3 g9 g
如果沒有 整個 nmos 的 buck 是跟 substrate 是連在一起的ㄛ.
. ~2 \4 j5 R. A3 |8 a1 m6 b0 c# M. L- o1 a3 G
共勉.- f! @( e; ]  L7 @5 x/ ]2 S
4#
 樓主| 發表於 2008-10-24 14:52:47 | 只看該作者
感謝各位大大的回答,小弟要的答案已找到= =+ 。0 m, r/ S( M" ~
在我使用的製程中,不是twin well,也就是說沒有dnwell,所以只好改變接法了。
5#
發表於 2008-10-26 11:43:17 | 只看該作者
很多製程不是都有ISO NMOS提供給使用,6 c( d9 k# E3 }
這樣NMOS的S%B就可以不用接GND。
6#
 樓主| 發表於 2008-10-27 10:23:50 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

小弟剛找了一下
$ O3 h6 h+ P( }" G/ _lvs檔中並無iso4 k# X. }2 O$ N: @
不過還是感謝大大提供這訊息
" a1 n9 ]3 K7 \' q8 t7 N. Z" S/ ^至少以後要這樣做的話
3 v' U4 [, t/ X可以有個概念
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