請問一下mos的臨界電壓vt?

andywu

通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve
( S( ]. ^- d/ E7 @% K% f% ^
但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值
) a1 N' a' E) `# e
4 ?1 y2 T1 I9 c/ n$ h供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化

! p  U' _( T: T) j8 ]: I這樣的話大家是怎決定的

andywu

對了尤其是PMOS,飄移更多

% }$ K9 o( d7 RNMOS還在0.75左右
& _1 [% I# k. x1 o! W( H, `6 c

monkeybad

對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動
  I- G' t3 c0 j: q最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U
* S! }! p  s9 o& n3 [/ E5 E( b. p這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同
所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應
' R- }+ p* a" E, z( v2 l課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣
一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常

gimayon

不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...

ssupinma

在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt
從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能
: m/ T) v7 A4 R7 A7 l+ q6 z% a
查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth

andywu

因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦

model file要看哪一項目呢?

alab307

Vt 沒有一定的定義
+ u: \4 ?6 ], \$ |1 Z而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題

"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"
# g6 O) r+ }) D$ P# Y- c3 d# G7 O3.3v 遠大於 0.7V
" h  F, }: _% q# H其實不用太Care

VT對你的電路真的那麼重要嗎?

122013137

所以说模拟电路是感性的~~

liangshangquan

因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變，design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響

k9966809

0 i; E% q  T. h1 d% G感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~

engineer

VTH本來就是一個變數，不是嗎？