用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
2 b. i3 e! @1 B7 y4 C: M4 l# \8 p請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
! k( K; W8 z3 t因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
* _* O. y- l" d- X7 n  C
感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
- n# U) q( L/ m$ Q: H可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
6 n: R7 \6 ~$ s  zspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
1 K3 e$ e: M* W" u, m& z使用這種元件並不需要多加光罩,
& w. f/ R. Z0 a5 G% c. y- i# n$ w建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???

; |  s# ]8 w( T0 L. a( d哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
% q" J* _; J- h! ^. n.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
....
; V+ c# D* }# f+ u.....
* c& I) I. G: `8 v" R# v+ a.......
.end
6 o. t: [" _' D/ r: N' w" E然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
( A* s1 J& c1 V  Z) D如有錯誤，請大大們指教~~~

4 R6 w5 R0 f; i; ~2 h對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
, [: `; E; d9 {5 L2 ?: X而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

+ n4 [4 t! |! z9 q2 H: r+ W比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值