transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

lupiu

請問各位前輩~
) N1 T9 k) J  T. m6 p; T在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
跟tri-state(pad接在gate)
兩者，哪一個ESD的能力比較強
4 y) [* S. W0 j% r. Q而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
那三者，又是哪一個比較強呢?

andyjackcao

請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
8 F! b6 D! ~' Y3 ~7 V- qlupiu 發表於 2012-6-21 15:43

. g- E- k! R* @9 I3 }. s1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
- q/ \% s6 {: D2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

gaojun927

回復 2# andyjackcao
4 x# ]4 x% l/ e
6 h3 C8 o3 n: h原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

cltongkn

接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

andyjackcao

回復  andyjackcao
- h0 f) ^+ h1 I9 f$ S4 e
* `  n, ^; B3 o8 ?. h3 \# i1 r原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

8 R! D, j( u  v, h' y/ A3 \8 b& m/ I
6 [# W# g( _, S# I2 R


    是这样的；
   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

alden2262001

goooooooooooooooooooooooooooooooooood

gav253886

相當專業的內容，感謝大大分享心得
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