|
想請問各位大大我使用的製程是UMC18
5 s- P+ ]5 p+ ~" t0 D" m& m$ i( E+ N( b2 Y* n v
要如何知道製程的參數?) O0 X! P' \* a" j% n5 K" y$ W8 }
如:Va , λ ,uncox等等...
6 h2 i7 I) p' f& r4 P: {有試過手算,但發現同長度的PMOS在不同電流下(飽和區),λ值卻不同! O- R+ s. B3 k) u1 J
ro=1/gds
+ p! M& |# i2 R& Rro=1/λ*idsat! c" r* p+ {* b4 G' k: b
λ=1/va*L6 ?5 |: R6 i( u) e' \
9 }7 I7 s- t& ]' R0 l; w A/ [# y
例:
3 W& b- h7 z- E1 UPMOS(saturation) PMOS(saturation)
' A" u# Z% X# o( OW=25u L=0.5u W=25u L=0.5u$ M" _' e$ k7 V; K y, r
id -8.907e-05 -8.588e-05' ?, X, d, I' ~* J
gds 7.941e-06 5.289e-063 o! @# N8 W9 t6 R7 Y5 N, t
9 U6 ], k: ?& U. s" g8 G" N
算出後:
6 ^8 f5 ?' U/ g9 Dλ 0.089 0.061- u! k0 U9 v8 u' V8 m3 l! e1 \& C
* G1 s: ^8 m' R# _: ?# I! J2 ^" v6 Q
$ D( C1 g6 u$ |7 s4 E5 h' K看有些論文寫說λ是工藝給定的/ f' X' A( [, X7 e0 a7 q$ e
哪一些製程參數是固定的?還是都是非固定呢?
7 _7 Y+ B: p& V: s; }; i; B' K/ C3 m& J2 `5 p+ |: L
|
|