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[問題求助] [問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS

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1#
發表於 2014-7-13 22:36:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位先進們
: |& q' }* v  x* M( Y# O% \                                                                                
' c. T& K7 ]% V6 q4 D) c請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system
5 d: `% d& F3 j) y! e( {  ?                                                                                
6 u! |& c/ N" Q- }! I2 A& B  \在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator",在文章的後面Table36 Y# b' a! F: i' T& ~
                                                                                1 t' h% q7 m! n! F& o9 L
提到pass transistor 設計的尺寸W/L=40000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V
! W( e. n5 L8 D8 ^- l# `                                                                                
1 m8 v4 {/ Y& L( o# e1 i9 X以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體,發現至少需要Id=100uA
2 o) v/ e5 C$ U                                                                                
/ h  X- [# u$ ]; \以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小,還是我誤解他的意思,請各位先進指教一下
$ g- D9 c* G* q4 e; A                                                                                
0 w0 R' y3 ]" H1 ~- @感謝
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2#
發表於 2014-7-30 15:02:50 | 只看該作者
跟bias條件有關  {6 Z" B2 T& ]8 q) g6 l
W/L=40000, Id=10uA, PMOS是bias在weak inversion
6 ]* r0 i. a. G$ m' u8 P5 d7 H/ Ggm 本來就大. `& B" Y' z: Q; P: v; Z( O1 o
至於模擬的方式, PMOS source 接3V, drain 接2.8V, s, k6 k2 u$ |1 ?) o; I* A& ^
掃gate電壓看電流, 找Id=10uA下的gm 8 G5 n) f( E( c# P& K
前提是你的spice model 有cover weak inversion (通常不太準~)
3#
發表於 2014-9-19 08:39:48 | 只看該作者
這幾年的cap-less LDO走向運用adaptive biasing or dynamic biasing的研究方向. i5 i/ ~8 l3 E) O9 Q
2007年那篇算是比較早期的作法了& x- q1 ~# o/ M. D8 {+ ^+ F
且如同jackrabbit所言,PMOS's size那麼大又要能有那麼高的gm,確實是要在weak inversion,而且,那也要看Foundry所提供的device model是否夠精準,我前陣子在作cap-less LDO時,就曾發現用SPICE model和用Spectre model跑出來的結果差異甚大
7 P3 o' V/ H! k2 E- Y3 b後來仔細追究,發現是
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
4#
發表於 2014-9-20 13:14:42 | 只看該作者
來看一看
; q  Z8 t) J7 D. wcapless ldo真的需要考慮更多的是  補償  voltage drop( M( S+ J7 X. Y: {
傳統作法都是還會在layout有空間的地方塞一堆電容
( O( ?# g0 y6 n9 n7 J1 Z3 @比較新的作法本身是還沒試過  畢竟  公司要的是做出來的時間而不是讓你慢慢研究阿QQ
5#
發表於 2014-9-21 11:43:24 | 只看該作者
現在的cap-less LDO走的是low quiescent current的error amplifier9 W. Y6 p9 e4 r0 O5 ]4 ^9 S8 T0 g
以前,error amplifier的quiescent current可能是20uA~40uA不等,但現在卻是要求要在低於10uA以下,甚至在某些condition下要在0.1uA下
/ Q3 Z2 h  A& y, f3 ]) _: O0 {" W4 S& ?+ P# U+ {
以前會覺得不合理,但,現在競爭對手都做出來了,相對的就會被要求朝此規格去設計,畢竟公司出錢請你,如果你又拿不出相對等的成績出來,想當然爾結果也可預想
3 B* V' X: S# e5 F. y, S+ S0 _這是RD的宿命* W6 }. d# D& W3 X* k* h
. [7 W# P# ^: G% x
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
6#
發表於 2014-9-24 12:50:33 | 只看該作者
cap-less, low quiescent current 有時跟要能快速response output voltage
! O- E/ ~2 C. {drop 同時滿足, 直接想還挺困難, 上來看看是否各位大大有獨到見解  I1 A6 Y' p' B, W# i
可以學習一下
8#
發表於 2015-8-29 21:29:55 | 只看該作者
又要馬兒好,又要馬兒不吃草,IC設計很多時候都要做『trade-off』。
9#
發表於 2015-9-19 13:11:07 | 只看該作者
最近有一些需求,需要用到capless ldo,來參予討論一下
10#
發表於 2016-6-25 22:51:24 | 只看該作者
感謝分享。我來研究研究一下
11#
發表於 2016-8-12 00:59:41 | 只看該作者
感謝大大們的討論* r. I% m) O$ I5 {
小弟來研究一下
12#
發表於 2016-9-20 10:36:22 | 只看該作者
最近正研讀這類電路,還不清楚設計考量
0 V  O# L% d/ n' G4 Z( `
13#
發表於 2016-12-6 16:19:12 | 只看該作者
9 B0 L6 v3 V9 i  x! {% u/ G4 A
Thanks for your sharing  It's a good reference for me.
14#
發表於 2017-2-20 16:49:40 | 只看該作者
感謝分享。A good topic to discussed.
15#
發表於 2017-2-20 16:51:52 | 只看該作者
大大見解獨到, Thank you
5 a7 W* {7 N  S& R1 i( Z
/ O0 p: ^2 L8 I8 W8 `( K
16#
發表於 2018-12-6 17:18:28 | 只看該作者
最近讀這篇也有一堆問題
( I$ c9 `5 q" m) g! N5 {2 a8 O極零點分析 和 電路的動作原理都有不清楚的地方
17#
發表於 2019-1-6 20:45:51 | 只看該作者
想看一下隱藏內容                     
18#
發表於 2020-8-6 11:19:22 | 只看該作者
  看下  是 發現如何 設計  capless  LDO" A0 P8 L: R& t/ k$ L

# @: r$ Q& \7 T8 f) a2 x, {. F( S' M: i5 {2 y

) }; N; Y; W0 O
20#
發表於 2021-2-5 14:27:40 | 只看該作者
想看一下隱藏內容;感謝分享;感謝參與討論,謝謝5 x8 i  \- z, d
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